摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第14-35页 |
1.1 引言 | 第14页 |
1.2 印制电路板的散热研究现状 | 第14-26页 |
1.2.1 固体物质导热的相关理论 | 第14-16页 |
1.2.2 散热孔设计改善散热问题 | 第16-17页 |
1.2.3 金属基设计改善散热问题 | 第17-18页 |
1.2.4 改性高分子复合材料改善散热问题 | 第18-26页 |
1.2.4.1 环氧树脂及其导热改性 | 第18-22页 |
1.2.4.2 酚醛树脂及其导热改性 | 第22-23页 |
1.2.4.3 聚酰亚胺及其导热改性 | 第23页 |
1.2.4.4 聚苯醚树脂及其导热改性 | 第23-24页 |
1.2.4.5 氰酸酯树脂及其导热改性 | 第24页 |
1.2.4.6 双马来酰亚胺三嗪树脂及其导热改性 | 第24-25页 |
1.2.4.7 聚四氟乙烯及其导热改性 | 第25-26页 |
1.3 印制电路板互连结构现状 | 第26-34页 |
1.3.1 孔金属化实现互连方法 | 第26-30页 |
1.3.1.1 预镀层的形成及机理 | 第26-28页 |
1.3.1.2 电镀层的形成及机理 | 第28-30页 |
1.3.2 导通孔互连结构 | 第30-31页 |
1.3.3 盲孔互连结构 | 第31页 |
1.3.4 叠孔互连结构 | 第31-34页 |
1.4 本论文选题依据和研究内容 | 第34-35页 |
第二章 印制电路板材料热性能与孔互连失效的研究 | 第35-48页 |
2.1 印制电路板材料温变热性能的研究 | 第35-41页 |
2.1.1 实验材料与仪器 | 第35页 |
2.1.2 实验部分 | 第35-36页 |
2.1.2.1 基板导热系数温变性能 | 第35-36页 |
2.1.2.2 基板热稳定温变性能 | 第36页 |
2.1.2.3 基板热膨胀温变性能 | 第36页 |
2.1.3 实验结果与讨论 | 第36-41页 |
2.1.3.1 基板导热性能分析 | 第36-39页 |
2.1.3.2 基板热稳定性分析 | 第39页 |
2.1.3.3 基板CTE性能分析 | 第39-40页 |
2.1.3.4 基板热性能评估 | 第40-41页 |
2.2 印制电路板孔互连失效的研究 | 第41-46页 |
2.2.1 实验部分 | 第41-42页 |
2.2.2 实验结果 | 第42-44页 |
2.2.2.1 吹孔的可视观察 | 第42-43页 |
2.2.2.2 导通孔内部结构 | 第43页 |
2.2.2.3 基板材料吸湿性分析 | 第43-44页 |
2.2.3 讨论 | 第44-46页 |
2.3 本章小结 | 第46-48页 |
第三章 AlN/PEN复合材料的制备及其性能研究 | 第48-71页 |
3.1 前言 | 第48-49页 |
3.2 实验部分 | 第49-51页 |
3.2.1 实验材料 | 第49页 |
3.2.2 复合材料的制备过程 | 第49-50页 |
3.2.2.1 AlN颗粒的表面处理 | 第49页 |
3.2.2.2 复合材料的制备 | 第49-50页 |
3.2.3 复合材料的表征测试 | 第50-51页 |
3.2.3.1 测试样品制备 | 第50页 |
3.2.3.2 AlN/PEN复合材料的表征测试 | 第50-51页 |
3.3 结果与讨论 | 第51-69页 |
3.3.1 AlN颗粒的表面功能化 | 第51-54页 |
3.3.2 AlN颗粒与PEN基体的共混效果 | 第54-55页 |
3.3.3 AlN/PEN复合材料的红外光谱 | 第55-56页 |
3.3.4 AlN颗粒的加入对PEN基体结构的影响 | 第56-57页 |
3.3.5 AlN/PEN复合材料的导热性能 | 第57-64页 |
3.3.5.1 导热系数模型 | 第57-58页 |
3.3.5.2 AlN/PEN复合材料的导热系数 | 第58-64页 |
3.3.6 t-AlN/PEN复合材料的热稳定性 | 第64-65页 |
3.3.7 t-AlN/PEN复合材料的CTE | 第65页 |
3.3.8 t-AlN/PEN复合材料的介电性能 | 第65-68页 |
3.3.9 t-AlN/PEN复合材料的电阻特性 | 第68页 |
3.3.10 t-AlN/PEN复合材料的拉断强度 | 第68-69页 |
3.4 本章小结 | 第69-71页 |
第四章 电化学沉积用氧化铜的合成及形貌控制研究 | 第71-94页 |
4.1 电化学沉积用氧化铜的合成及表征 | 第71-76页 |
4.1.1 实验部分 | 第71-72页 |
4.1.1.1 氧化铜的合成 | 第71-72页 |
4.1.1.2 氧化铜的表征测试 | 第72页 |
4.1.2 结果与讨论 | 第72-76页 |
4.1.2.1 氧化铜的形成过程 | 第72-74页 |
4.1.2.2 氧化铜的表征 | 第74-76页 |
4.2 超声控制氧化铜形貌及表征 | 第76-92页 |
4.2.1 实验部分 | 第77-79页 |
4.2.1.1 氧化铜的超声处理过程 | 第77页 |
4.2.1.2 超声处理氧化铜的表征 | 第77-79页 |
4.2.2 结果与讨论 | 第79-92页 |
4.2.2.1 超声处理对氧化铜形貌的影响 | 第79-83页 |
4.2.2.2 不同形貌氧化铜的粒度分布情况 | 第83-84页 |
4.2.2.3 不同形貌氧化铜对沉降速率影响 | 第84-85页 |
4.2.2.4 不同形貌氧化铜对紫外-可见吸收光谱的影响 | 第85页 |
4.2.2.5 不同形貌氧化铜对XRD测试的影响 | 第85-87页 |
4.2.2.6 不同形貌氧化铜对XPS测试的影响 | 第87-89页 |
4.2.2.7 不同形貌氧化铜对Raman光谱的影响 | 第89-90页 |
4.2.2.8 不同形貌氧化铜对溶解速率的影响 | 第90页 |
4.2.2.9 CuO-EA颗粒在电化学沉积中的应用 | 第90-92页 |
4.3 本章小结 | 第92-94页 |
第五章 电化学沉积铜的均匀性生长控制研究 | 第94-108页 |
5.1 前言 | 第94-95页 |
5.2 实验部分 | 第95-96页 |
5.3 结果与讨论 | 第96-107页 |
5.3.1 添加剂对电化学沉积铜的影响 | 第96-99页 |
5.3.2 添加剂辅助电化学沉积铜的均匀性控制 | 第99-105页 |
5.3.2.1 底铜选择对电化学沉积铜的均匀性影响 | 第99-100页 |
5.3.2.2 添加剂选择对电化学沉积铜的均匀性影响 | 第100-104页 |
5.3.2.3 溶液搅拌对电化学沉积铜的均匀性影响 | 第104-105页 |
5.3.3 添加剂对铜晶体生长的影响 | 第105-107页 |
5.4 本章小结 | 第107-108页 |
第六章 印制电路互连结构的构建与实现 | 第108-115页 |
6.1 前言 | 第108页 |
6.2 印制电路互连结构的构建 | 第108-110页 |
6.2.1 塞树脂式叠孔互连结构的构建 | 第108-110页 |
6.2.2 全加成叠孔互连结构的构建 | 第110页 |
6.3 印制电路互连结构的实现 | 第110-114页 |
6.3.1 塞树脂式叠孔互连结构的实现 | 第110-112页 |
6.3.1.1 孔内填塞树脂质量控制 | 第110-112页 |
6.3.1.2 塞树脂式叠孔互连结构的制作 | 第112页 |
6.3.2 全加成叠孔互连结构的实现 | 第112-114页 |
6.4 本章小结 | 第114-115页 |
第七章 结论与展望 | 第115-118页 |
致谢 | 第118-119页 |
参考文献 | 第119-136页 |
攻读博士学位期间取得的成果 | 第136-139页 |