反射式数字全息显微测量技术研究
| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 数字全息术概述 | 第9-10页 |
| 1.2 数字全息显微术概论 | 第10页 |
| 1.3 MEMS器件及其形貌测量 | 第10-12页 |
| 1.3.1 MEMS器件概述 | 第10-11页 |
| 1.3.2 MEMS的分类 | 第11页 |
| 1.3.3 MEMS表面形貌测量 | 第11-12页 |
| 1.4 数字全息显微术研究状况 | 第12-14页 |
| 1.4.1 国外研究现状 | 第12-13页 |
| 1.4.2 国内研究现状 | 第13-14页 |
| 1.5 本文的选题意义和主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 数字全息基本理论 | 第15-26页 |
| 2.1 标量衍射理论 | 第15-19页 |
| 2.1.1 菲涅耳近似 | 第15-17页 |
| 2.1.2 菲涅耳衍射公式的两种表示 | 第17-19页 |
| 2.2 数字全息的记录与再现 | 第19-21页 |
| 2.2.1 数字全息记录过程 | 第19-20页 |
| 2.2.2 数字全息再现过程 | 第20-21页 |
| 2.3 离轴数字全息的实验条件 | 第21-25页 |
| 2.3.1 最大物参光夹角 | 第21-23页 |
| 2.3.2 最小记录距离 | 第23-25页 |
| 2.4 本章小节 | 第25-26页 |
| 第三章 数字全息再现像重构技术 | 第26-36页 |
| 3.1 相位畸变补偿 | 第26-28页 |
| 3.1.1 相位掩模板 | 第26-27页 |
| 3.1.2 修正的虚拟数字参考光 | 第27-28页 |
| 3.2 自聚焦方法 | 第28-30页 |
| 3.2.1 灰度熵方法 | 第28-29页 |
| 3.2.2 灰度方差函数 | 第29页 |
| 3.2.3 梯度函数 | 第29-30页 |
| 3.3 再现像可控放大率重构 | 第30-35页 |
| 3.3.1 可控放大率重构基本原理 | 第30-34页 |
| 3.3.2 实验验证 | 第34-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 欠采样相位解包裹技术 | 第36-49页 |
| 4.1 欠采样相位解包裹研究现状 | 第36-37页 |
| 4.2 欠采样条件下相位解包裹原理 | 第37-41页 |
| 4.2.1 一次横向剪切 | 第37-38页 |
| 4.2.2 二次横向剪切 | 第38-40页 |
| 4.2.3 剪切方向的选取对剪切效果的影响 | 第40-41页 |
| 4.3 仿真与实验结果分析 | 第41-48页 |
| 4.3.1 无噪声仿真结果分析 | 第41-43页 |
| 4.3.2 含噪声仿真结果分析 | 第43-46页 |
| 4.3.3 数字全息实验验证 | 第46-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 反射式数字全息显微术 | 第49-61页 |
| 5.1 实验光路介绍 | 第49-53页 |
| 5.1.1 典型的反射式离轴数字全息显微光路 | 第49-50页 |
| 5.1.2“斜物光”反射式离轴数字全息显微光路 | 第50-52页 |
| 5.1.3 改进的反射式离轴数字全息显微光路 | 第52-53页 |
| 5.2 反射式数字全息光路器件的选取及分析 | 第53-55页 |
| 5.2.1 激光光源 | 第53-54页 |
| 5.2.2 CCD的选取及其性能参数 | 第54-55页 |
| 5.2.3 样品的选取 | 第55页 |
| 5.3 实验结果及分析 | 第55-59页 |
| 5.3.1 标准分辨率板形貌测量 | 第55-57页 |
| 5.3.2 压力敏感芯片形貌测量 | 第57-59页 |
| 5.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
