| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第8页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第8-10页 |
| 1.3 本论文主要研究内容 | 第10-12页 |
| 第2章 铌酸锂调制器的基本原理和相关理论 | 第12-22页 |
| 2.1 铌酸锂材料 | 第12页 |
| 2.2 电光效应 | 第12-14页 |
| 2.3 铌酸锂光纤-波导的耦合模理论 | 第14-21页 |
| 2.3.1 单模光纤中的 LP01模 | 第14-16页 |
| 2.3.2 Y 分支波导模场分析 | 第16-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 铌酸锂调制器损耗分析及优化设计 | 第22-44页 |
| 3.1 调制器 Y 波导损耗分析及优化设计 | 第22-28页 |
| 3.1.1 Y 分支波导损耗 | 第22-25页 |
| 3.1.2 两种弯曲类型 Y 波导比较 | 第25-28页 |
| 3.2 铌酸锂调制器波导-光纤对准耦合损耗分析 | 第28-33页 |
| 3.3 调制器温度损耗特性分析及改善方法 | 第33-39页 |
| 3.3.1 调制器插入损耗温度分析 | 第33-34页 |
| 3.3.2 Y 波导分束比 | 第34-37页 |
| 3.3.3 尾纤偏振串音分析 | 第37-39页 |
| 3.4 耦合结构的热应力 ANSYS 仿真 | 第39-42页 |
| 3.4.1 ANSYS 仿真步骤 | 第40-41页 |
| 3.4.2 仿真结果及分析 | 第41-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 调制器工艺改善设计和性能测试 | 第44-56页 |
| 4.1 铌酸锂调制器光纤-波导耦合所用材料 | 第44-46页 |
| 4.2 工艺改善 | 第46-51页 |
| 4.2.1 输入端光纤陶瓷垫块设计 | 第47页 |
| 4.2.2 输出端光纤固定结构 V 型槽的设计 | 第47-49页 |
| 4.2.3 芯片马夹设计 | 第49-50页 |
| 4.2.4 铌酸锂芯片制作流程 | 第50-51页 |
| 4.3 调制器耦合封装及性能测试 | 第51-53页 |
| 4.3.1 调制器的耦合封装步骤 | 第51-52页 |
| 4.3.2 传统调制器和工艺改善之后的调制器性能对比 | 第52-53页 |
| 4.4 调制器可靠性分析 | 第53-55页 |
| 4.4.1 铌酸锂调制器的可靠性及失效原因分析 | 第53-54页 |
| 4.4.2 提高调制器可靠性的一些措施 | 第54-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 致谢 | 第62页 |