| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 引言 | 第7-9页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 光催化技术 | 第9-12页 |
| 1.1.1 光催化技术研究背景及现状 | 第9页 |
| 1.1.2 半导体光催化剂光催化反应的基本原理 | 第9-10页 |
| 1.1.3 半导体光催化剂光催化分解水的应用示意图 | 第10-12页 |
| 1.2 半导体光催化材料的研究进展 | 第12-15页 |
| 1.2.1 锗镓基类光催化材料 | 第12-13页 |
| 1.2.2 铌钽基类光催化材料 | 第13页 |
| 1.2.3 钛基类光催化材料 | 第13-14页 |
| 1.2.4 氮氧化物光催化材料 | 第14页 |
| 1.2.5 硫化物光催化材料 | 第14-15页 |
| 1.3 带隙调变方法 | 第15-16页 |
| 1.3.1 调变价带 | 第15页 |
| 1.3.2 调变导带 | 第15-16页 |
| 1.3.3 连续调变价带和导带 | 第16页 |
| 1.4 理论计算的应用 | 第16-17页 |
| 1.5 选题意义及主要工作 | 第17-18页 |
| 2 理论与计算方法 | 第18-22页 |
| 2.1 Hartree-Fork近似 | 第18页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第18-19页 |
| 2.2.1 Thomas-Fermi模型 | 第18-19页 |
| 2.2.2 Hohengerg-Kohn定理 | 第19页 |
| 2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第19页 |
| 2.3 交换关联泛函 | 第19-20页 |
| 2.4 论文中使用的模拟软件及计算软件包 | 第20-22页 |
| 3 金属元素掺杂体相β-Ga_2O_3的理论研究 | 第22-31页 |
| 3.1 引言 | 第22-23页 |
| 3.2 计算方法及模型 | 第23页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第23-30页 |
| 3.3.1 纯相b-Ga_2O_3的结构和性质 | 第23-24页 |
| 3.3.2 掺杂体系的缺陷形成能Eform | 第24-26页 |
| 3.3.3 体相掺杂体系的几何结构 | 第26-27页 |
| 3.3.4 体相掺杂体系的电子结构 | 第27-30页 |
| 3.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 4 金属元素掺杂b-Ga_2O_3（100）-B表面相关性质的理论研究 | 第31-40页 |
| 4.1 引言 | 第31-32页 |
| 4.2 计算方法及模型 | 第32-33页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第33-39页 |
| 4.3.1 b-Ga_2O_3（100）-B表面掺杂的几何结构 | 第33-34页 |
| 4.3.2 掺杂体系的缺陷形成能Eform | 第34-36页 |
| 4.3.3 b-Ga_2O_3（100）-B表面掺杂的电子结构 | 第36-39页 |
| 4.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 结论 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-46页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47页 |
