| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 文献综述 | 第11-24页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 ZnO薄膜的性质 | 第11-14页 |
| 1.2.1 ZnO的基本性质 | 第11-12页 |
| 1.2.2 ZnO薄膜的晶体结构 | 第12页 |
| 1.2.3 ZnO薄膜的电学性质 | 第12-13页 |
| 1.2.4 ZnO薄膜的光学性质 | 第13页 |
| 1.2.5 ZnO薄膜的压电性质 | 第13-14页 |
| 1.2.6 ZnO薄膜的其他性质 | 第14页 |
| 1.3 新型非挥发性存储器简介 | 第14-17页 |
| 1.3.1 相变存储器 | 第15-16页 |
| 1.3.2 铁电存储器 | 第16页 |
| 1.3.3 磁阻存储器 | 第16-17页 |
| 1.3.4 阻变存储器 | 第17页 |
| 1.4 阻变存储器的研究进展 | 第17-22页 |
| 1.4.2 阻变存储器的材料 | 第18-19页 |
| 1.4.3 阻变开关效应的机理 | 第19-20页 |
| 1.4.4 电流传导机制 | 第20-21页 |
| 1.4.5 器件性能的关键参数 | 第21-22页 |
| 1.5 ZnO阻变存储器的研究现状 | 第22-23页 |
| 1.6 本课题研究意义及主要研究内容 | 第23-24页 |
| 第2章 ZnO基阻变存储器的制备及其表征 | 第24-35页 |
| 2.1 器件的制备 | 第24-28页 |
| 2.1.1 原子层沉积 | 第24-25页 |
| 2.1.2 直流反应磁控溅射 | 第25-26页 |
| 2.1.3 电阻加热蒸发 | 第26-27页 |
| 2.1.4 器件制备过程 | 第27-28页 |
| 2.2 器件的表征 | 第28-35页 |
| 2.2.1 紫外-可见光谱仪 | 第28页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第28-29页 |
| 2.2.3 X射线衍射仪 | 第29-30页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜 | 第30-31页 |
| 2.2.5 傅里叶红外光谱仪 | 第31页 |
| 2.2.6 X射线光电子能谱分析仪 | 第31页 |
| 2.2.7 I-V特性测试仪 | 第31-32页 |
| 2.2.8 简易压电装置 | 第32-35页 |
| 第3章 ZnO基阻变存储器的研究 | 第35-42页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 实验过程 | 第35-36页 |
| 3.2.1 器件的制备 | 第35-36页 |
| 3.2.2 器件性能测试 | 第36页 |
| 3.3 结果和分析 | 第36-41页 |
| 3.3.1 ZnO薄膜的厚度 | 第36-37页 |
| 3.3.2 ZnO薄膜的晶体结构和红外光谱 | 第37-38页 |
| 3.3.3 ZnO薄膜表面元素价态 | 第38-39页 |
| 3.3.4 电阻开关特性 | 第39-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 透明柔性ZnO基阻变存储器的研究 | 第42-50页 |
| 4.1 引言 | 第42-43页 |
| 4.2 实验过程 | 第43页 |
| 4.2.1 器件的制备 | 第43页 |
| 4.2.2 器件性能测试 | 第43页 |
| 4.3 结果和分析 | 第43-48页 |
| 4.3.1 器件的柔性和透明性 | 第43-44页 |
| 4.3.2 薄膜的晶体结构 | 第44-45页 |
| 4.3.3 薄膜表面元素价态 | 第45-46页 |
| 4.3.4 电阻开关特性 | 第46-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第5章 压电效应对ZnO基阻变存储器阻变特性的影响 | 第50-55页 |
| 5.1 引言 | 第50页 |
| 5.2 实验过程 | 第50-51页 |
| 5.2.1 器件的制备 | 第50-51页 |
| 5.2.2 器件性能测试 | 第51页 |
| 5.3 结果和分析 | 第51-54页 |
| 5.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第6章 结论与展望 | 第55-57页 |
| 6.1 结论 | 第55页 |
| 6.2 展望 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 附录 | 第64页 |