| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 半导体QCL | 第8-9页 |
| 1.2 半导体QCL的发展及应用 | 第9-10页 |
| 1.3 半导体QCL发光原理 | 第10-12页 |
| 1.4 InGaAs/InAlAs材料体系半导体QCL | 第12-15页 |
| 1.5 本章总结 | 第15-16页 |
| 第2章 半导体QCL理论基础及其评价体系 | 第16-28页 |
| 2.1 有效质量薛定谔方程 | 第16-18页 |
| 2.2 散射时间 | 第18-21页 |
| 2.3 半导体QCL激光器的评价体系构建 | 第21-27页 |
| 2.4 本章总结 | 第27-28页 |
| 第3章.量子级联激光器有源区新结构设计仿真 | 第28-49页 |
| 3.1 对现有有源区结构应用MATLAB模拟计算 | 第28-31页 |
| 3.2 半导体QCL有源区结构设计 | 第31-47页 |
| 3.2.1 In_(0.53)Ga_(_(0.4)7)As/In_(0.52)Al_(0.48)As“斜跃迁”模式量子级联激光器（QCL） | 第32-36页 |
| 3.2.2 In_(0.53)Ga_(_(0.4)7)As/In_(0.52)Al_(0.48)As“垂直跃迁”模式量子级联激光器（QCL） | 第36-42页 |
| 3.2.3GaAs/ Al_(0.4)Ga_(0.6)As“斜跃迁”模式量子级联激光器（QCL） | 第42-45页 |
| 3.2.4 GaAs/ Al_(0.4)Ga_(0.6)As“垂直跃迁”模式量子级联激光器（QCL） | 第45-47页 |
| 3.3 本章总结 | 第47-49页 |
| 结论与展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
