| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 能源危机 | 第9页 |
| 1.2 太阳能发电和非晶硅太阳能电池的优点 | 第9-10页 |
| 1.3 非晶硅薄膜的发展历史和现状 | 第10-13页 |
| 1.3.1 非晶硅薄膜的发展历史 | 第10-12页 |
| 1.3.2 非晶硅薄膜的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.4 非晶硅薄膜的微结构及性能 | 第13-19页 |
| 1.4.1 非晶硅的结构特点 | 第14-17页 |
| 1.4.2 a-Si:H 的光学性质 | 第17-18页 |
| 1.4.3 a-Si:H 的光致衰退效应(SWE) | 第18-19页 |
| 1.5 非晶硅薄膜的主要制备方法 | 第19-22页 |
| 1.5.1 射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD) | 第19-20页 |
| 1.5.2 甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD) | 第20页 |
| 1.5.3 热丝化学气相沉积(HW-CVD 或Cat-CVD) | 第20-21页 |
| 1.5.4 微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR-CVD) | 第21-22页 |
| 1.6 课题来源及研究的意义和主要内容 | 第22-23页 |
| 1.6.1 课题来源 | 第22页 |
| 1.6.2 本课题的意义及研究的主要内容 | 第22-23页 |
| 第2章 热丝辅助MWECR-CVD 薄膜制备系统及非晶硅的结构性能 | 第23-38页 |
| 2.1 引言 | 第23-24页 |
| 2.2 MWECR 的结构和工作原理 | 第24-26页 |
| 2.2.1 MWECR 薄膜沉积系统结构 | 第24-26页 |
| 2.2.2 MWECR 的工作原理 | 第26页 |
| 2.3 热丝辅助单元的引入 | 第26-30页 |
| 2.3.1 HWCVD 简介 | 第26-27页 |
| 2.3.2 HWCVD 沉积a-Si:H 薄膜的基本反应 | 第27页 |
| 2.3.3 热丝辅助单元的构成 | 第27-28页 |
| 2.3.4 热丝单元对系统的影响 | 第28-30页 |
| 2.4 样品制备所用材料及制备过程简介 | 第30-31页 |
| 2.5 MWECR 等离子体沉积a-Si:H 薄膜的生长机制 | 第31-33页 |
| 2.6 非晶硅薄膜的评价 | 第33-36页 |
| 2.6.1 傅立叶变换红外光谱 | 第33-35页 |
| 2.6.2 拉曼谱 | 第35-36页 |
| 2.7 本章小节 | 第36-38页 |
| 第3章 a-Si:H 薄膜的沉积速率和均匀性研究 | 第38-47页 |
| 3.1 非晶硅薄膜沉积速率研究 | 第38-43页 |
| 3.1.1 实验 | 第39-43页 |
| 3.1.2 结论 | 第43页 |
| 3.2 非晶硅薄膜的均匀性研究 | 第43-46页 |
| 3.2.1 永磁体对薄膜均匀性的影响 | 第43-45页 |
| 3.2.2 热丝对薄膜均匀性的影响 | 第45-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 a-Si:H 薄膜的微结构和性能研究 | 第47-67页 |
| 4.1 非晶硅薄膜的导电机理 | 第47-52页 |
| 4.2 非晶硅薄膜的光敏性 | 第52-53页 |
| 4.3 非晶硅薄膜中的氢 | 第53-55页 |
| 4.4 热丝对非晶硅薄膜氢含量的影响 | 第55-60页 |
| 4.4.1 有无热丝对氢含量的影响 | 第56-58页 |
| 4.4.2 不同的热丝温度对氢含量的影响 | 第58-59页 |
| 4.4.3 热丝温度升高对薄膜微结构的影响 | 第59-60页 |
| 4.5 非晶硅薄膜的光敏性 | 第60-61页 |
| 4.6 非晶硅薄膜的光致衰退变化(SWE) | 第61-64页 |
| 4.6.1 非晶硅薄膜的稳定性研究 | 第61-63页 |
| 4.6.2 反常SWE | 第63-64页 |
| 4.7 本章小节 | 第64-67页 |
| 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-77页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
