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12kV旋转盘式真空断路器的研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-14页
    1.1 概述第9页
    1.2 课题背景及意义第9-10页
    1.3. 课题国内外研究现状及发展趋势第10-12页
    1.4.本文主要研究究内容第12-14页
第2章 旋转盘式真空断路器结构的设计第14-23页
    2.1 导电杆直径设计第16-17页
    2.2 触头结构的设计及材料的选择第17-18页
        2.2.1 触头直径的设计第17-18页
        2.2.2 触头材料开距的选择第18页
    2.3 屏蔽罩设计第18-20页
    2.4 绝缘外壳的设计第20页
    2.5 其它零部件第20-21页
    2.6 真空断路器的结构特点第21-22页
    2.7 本章小结第22-23页
第3章 旋转盘式真空断路器三维电场的分析第23-35页
    3.1 真空间隙击穿机理第23-24页
        3.1.1 场致发射学说第23页
        3.1.2 微粒撞击学说第23-24页
    3.2 影响真空击穿的各种因素第24-25页
    3.3 电场分析数学模型第25-28页
    3.4 真空灭弧室内部电场分布第28-33页
        3.4.1 灭弧室中心平面电势和电场强度分布第28-31页
        3.4.2 三相导电杆平面的电场分布第31-33页
    3.5 本章小结第33-35页
第4章 旋转盘式真空断路器三维磁场的分析第35-51页
    4.1 真空电弧特性第35-36页
        4.1.1 扩散型真空电弧第35-36页
        4.1.2 集聚型真空电弧第36页
    4.2 纵向磁场对真空电弧的控制技术第36-40页
        4.2.1 纵向磁场与电弧形态第36-37页
        4.2.2 纵向磁场对真空电弧的作用第37-39页
        4.2.3 纵向磁场电极结构与剩余磁场第39-40页
    4.3 电极结构数学模型建立第40-43页
    4.4 盘式结构三维磁场仿真第43-47页
        4.4.1 触头片开槽情况三维磁场分析第43-45页
        4.4.2 触头片不开槽情况三维磁场分析第45-47页
    4.5 传统触头结构三维磁场分析第47-50页
    4.6 本章小结第50-51页
第5章 总结与展望第51-53页
    5.1 本文研究总结第51-52页
    5.2 展望第52-53页
参考文献第53-56页
在学研究成果第56-57页
致谢第57页

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