| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 高熵合金研究背景 | 第10页 |
| 1.2 高熵合金的特点 | 第10-11页 |
| 1.2.1 高熵合金的组织结构特点 | 第10页 |
| 1.2.2 高熵合金的性能特点 | 第10-11页 |
| 1.3 高熵合金的制备及应用 | 第11-13页 |
| 1.3.1 高熵合金的制备 | 第11-13页 |
| 1.3.2 高熵合金的应用 | 第13页 |
| 1.4 本文研究内容及意义 | 第13-14页 |
| 2 实验及表征 | 第14-21页 |
| 2.1 设备简介 | 第14-17页 |
| 2.1.1 单靶磁控溅射设备 | 第14-16页 |
| 2.1.2 多靶磁控溅射设备 | 第16-17页 |
| 2.2 薄膜的制备工艺 | 第17-20页 |
| 2.2.1 衬底选择及预处理 | 第17-18页 |
| 2.2.2 靶材选择 | 第18-19页 |
| 2.2.3 薄膜制备 | 第19-20页 |
| 2.3 薄膜表征 | 第20-21页 |
| 2.3.1 表面轮廓仪 | 第20页 |
| 2.3.2 X射线衍射(XRD) | 第20页 |
| 2.3.3 扫描电镜(SEM) | 第20页 |
| 2.3.4 电子探针(EPMA) | 第20页 |
| 2.3.5 原子力显微镜(AFM) | 第20页 |
| 2.3.6 纳米压痕 | 第20-21页 |
| 3. 单靶磁控溅射制备TiWVZrNbMo系薄膜 | 第21-38页 |
| 3.1 溅射功率对TiWVZrNbMo系薄膜显微结构及性能的影响 | 第21-27页 |
| 3.1.1 溅射功率对化学成分的影响 | 第21-23页 |
| 3.1.2 溅射功率对薄膜结构的影响 | 第23页 |
| 3.1.3 溅射功率对表面形貌的影响 | 第23-25页 |
| 3.1.4 溅射功率对电阻率的影响 | 第25-27页 |
| 3.2 基片温度对TiWVZrNbMo系薄膜显微结构及性能的影响 | 第27-33页 |
| 3.2.1 基片温度对化学成分的影响 | 第27-28页 |
| 3.2.2 基片温度对物质结构的影响 | 第28-29页 |
| 3.2.3 基片温度对沉积速率的影响 | 第29-30页 |
| 3.2.4 基片温度对表面形貌的影响 | 第30-31页 |
| 3.2.5 基片温度对显微硬度的影响 | 第31-33页 |
| 3.3 N_2流量对TiWVZrNbMo系薄膜显微结构及性能的影响 | 第33-37页 |
| 3.3.1 N_2流量对化学成分的影响 | 第33-34页 |
| 3.3.2 N_2流量对薄膜结构的影响 | 第34-35页 |
| 3.3.3 N_2流量对显微硬度的影响 | 第35-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 4. 多靶磁控溅射制备AlCrTiWNbTa系薄膜 | 第38-56页 |
| 4.1 基片偏压对AlCrTiWNbTa系薄膜显微结构及性能的影响 | 第38-47页 |
| 4.1.1 基片偏压对化学成分的影响 | 第38-39页 |
| 4.1.2 基片偏压对沉积速率的影响 | 第39-40页 |
| 4.1.3 基片偏压对物质结构的影响 | 第40-41页 |
| 4.1.4 基片偏压对粗糙度的影响 | 第41-44页 |
| 4.1.5 基片偏压对表面形貌的影响 | 第44页 |
| 4.1.6 基片偏压对硬度和弹性模量的影响 | 第44-46页 |
| 4.1.7 基片偏压对摩擦性能的影响 | 第46-47页 |
| 4.2 N_2流量对AlCrTiWNbTa系薄膜显微结构及性能的影响 | 第47-55页 |
| 4.2.1 N_2流量对化学成分的影响 | 第47-48页 |
| 4.2.2 N_2流量对物质结构的影响 | 第48-51页 |
| 4.2.3 N_2流量对电导率的影响 | 第51-52页 |
| 4.2.4 N流量对沉积速率的影响 | 第52-53页 |
| 4.2.5 N_2流量对显微硬度和弹性模量的影响 | 第53-55页 |
| 4.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
