| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 引言 | 第6-10页 |
| 第一章 测试基本理论和方法 | 第10-22页 |
| 1.1 芯片测试的基本理论 | 第10-15页 |
| 1.1.1 研究芯片测试的意义 | 第10-12页 |
| 1.1.2 芯片测试的基本概念 | 第12-13页 |
| 1.1.3 芯片可测性设计的发展 | 第13-14页 |
| 1.1.4 内建自测试(BIST)技术 | 第14-15页 |
| 1.2 存储器的故障模型和测试方法 | 第15-22页 |
| 1.2.1 存储器的故障模型 | 第15-16页 |
| 1.2.2 故障模型定义 | 第16-18页 |
| 1.2.3 测试算法 | 第18-20页 |
| 1.2.4 嵌入式存储器的测试方法 | 第20-22页 |
| 第二章 FLASH存储器原理和实例介绍 | 第22-31页 |
| 2.1 FLASH存储器工作原理 | 第22-28页 |
| 2.1.1 浮栅单元工作原理 | 第23-24页 |
| 2.1.2 电荷输运机制 | 第24-26页 |
| 2.1.3 FLASH存储器的擦写操作 | 第26-28页 |
| 2.2 被测试FLASH存储器的特点 | 第28-31页 |
| 第三章 BIST电路设计 | 第31-58页 |
| 3.1 项目spec对可测性设计的要求 | 第31-35页 |
| 3.1.1 课题研究的实际需求 | 第31-33页 |
| 3.1.2 设计方案的选择 | 第33-35页 |
| 3.2 接口定义和命令设定 | 第35-37页 |
| 3.2.1 接口的定义 | 第35-36页 |
| 3.2.2 命令格式与代码 | 第36-37页 |
| 3.3 命令定义 | 第37-49页 |
| 3.3.1 命令set_test_mode | 第37-40页 |
| 3.3.2 命令set_flash_mode | 第40-42页 |
| 3.3.3 命令write_mode | 第42-43页 |
| 3.3.4 命令reload_mode | 第43-44页 |
| 3.3.5 命令read_trim_mode | 第44-45页 |
| 3.3.6 命令read_status_mode | 第45-47页 |
| 3.3.7 命令pwosc_mode | 第47页 |
| 3.3.8 命令read_compare_mode | 第47-49页 |
| 3.4 测试控制单元FSM设计 | 第49-58页 |
| 3.4.1 有限状态机(FSM)设计 | 第49-52页 |
| 3.4.2 FSM的verilog代码实现 | 第52-58页 |
| 第四章 testbench设计和仿真 | 第58-67页 |
| 4.1 testbench中定义task | 第58-60页 |
| 4.2 仿真结果 | 第60-67页 |
| 4.2.1 仿真set_test_mode命令 | 第60-61页 |
| 4.2.2 仿真set_flash_mode命令 | 第61-62页 |
| 4.2.3 仿真write_mode命令 | 第62-63页 |
| 4.2.4 仿真reload命令 | 第63页 |
| 4.2.5 仿真read_status_mode命令 | 第63-64页 |
| 4.2.6 仿真read_trim_mode命令 | 第64-65页 |
| 4.2.7 仿真pwosc_mode命令 | 第65-66页 |
| 4.2.8 仿真read_compare_mode命令 | 第66-67页 |
| 第五章 结论及后续工作 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
