| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 前言 | 第9-16页 |
| 1.1 ZnO材料的基本性质 | 第9-10页 |
| 1.2 ZnO材料的应用 | 第10-11页 |
| 1.3 GaN材料的基本性质 | 第11页 |
| 1.4 ZnO/GaN材料及异质结器件研究进展 | 第11-15页 |
| 1.4.1 ZnO纳米材料可控生长的研究进展 | 第11-12页 |
| 1.4.2 带有宽禁带插入层的n-ZnO/p-GaN异质结器件的研究进展 | 第12-14页 |
| 1.4.3 DBR在发光器件中应用的研究进展 | 第14-15页 |
| 1.5 本文的研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 实验中采用的生长方法和表征技术 | 第16-27页 |
| 2.1 实验中采用的生长方法 | 第16-22页 |
| 2.1.1 MOCVD生长基本原理 | 第16-17页 |
| 2.1.2 生长GaN材料的MOCVD系统简介 | 第17-19页 |
| 2.1.3 生长ZnO材料的MOCVD系统简介 | 第19-22页 |
| 2.2 实验中采用的表征技术 | 第22-27页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第22-23页 |
| 2.2.2 X射线衍射（XRD） | 第23-25页 |
| 2.2.3 光致发光谱（PL） | 第25页 |
| 2.2.4 电流-电压特性（I-V） | 第25页 |
| 2.2.5 电致发光谱（EL） | 第25-27页 |
| 第三章 GaN 模板上 ZnO 材料的生长优化 | 第27-40页 |
| 3.1 制备ZnO材料的一般步骤 | 第27页 |
| 3.2 GaN模板腐蚀对ZnO材料外延生长的影响 | 第27-34页 |
| 3.2.1 实验步骤 | 第28页 |
| 3.2.2 GaN模板腐蚀对ZnO材料形貌的影响 | 第28-30页 |
| 3.2.3 GaN模板腐蚀对ZnO材料晶体质量的影响 | 第30-31页 |
| 3.2.4 GaN模板腐蚀对ZnO材料光学性质的影响 | 第31-33页 |
| 3.2.5 实验结果分析 | 第33-34页 |
| 3.3 氧流量对ZnO材料外延生长的影响 | 第34-39页 |
| 3.3.1 实验步骤 | 第34页 |
| 3.3.2 氧流量对ZnO材料表面形貌的影响 | 第34-36页 |
| 3.3.3 氧流量对ZnO材料晶体质量的影响 | 第36-37页 |
| 3.3.4 氧流量对 ZnO 材料发光性能的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.5 实验结果分析 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 ZnO/GaN异质结器件的结构优化 | 第40-56页 |
| 4.1 器件的制备步骤 | 第40-41页 |
| 4.2 不同厚度SiO_2插入层对n-ZnO/p-GaN异质结器件的影响 | 第41-49页 |
| 4.2.1 实验步骤 | 第42页 |
| 4.2.2 SiO_2插入层厚度对ZnO材料发光特性的影响 | 第42-43页 |
| 4.2.3 SiO_2插入层厚度对器件电流-电压特性的影响 | 第43-44页 |
| 4.2.4 SiO_2插入层厚度对器件电致发光特性的影响 | 第44-49页 |
| 4.2.5 实验结果分析 | 第49页 |
| 4.3 DBR反射层对n-ZnO/p-GaN异质结器件的影响 | 第49-55页 |
| 4.3.1 实验步骤 | 第49-50页 |
| 4.3.2 ZnO，GaN及DBR材料表征 | 第50-51页 |
| 4.3.3 DBR反射层对器件电学特性的影响 | 第51-54页 |
| 4.3.4 实验结果分析 | 第54-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 作者简介 | 第61-62页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
