中文摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第1章 绪论 | 第9-23页 |
1.1 电致变色材料概述 | 第9页 |
1.2 电致变色材料的分类 | 第9-13页 |
1.2.1 无机电致变色材料 | 第10页 |
1.2.2 有机电致变色材料 | 第10-13页 |
1.3 三芳胺类聚合物电致变色材料 | 第13-17页 |
1.4 有机电存储器件 | 第17-22页 |
1.4.1 有机电存储器件概述 | 第17-19页 |
1.4.2 聚合物电存储器件 | 第19-20页 |
1.4.3 三芳胺类电存储器件 | 第20-22页 |
1.5 本课题的选题思路及主要内容 | 第22-23页 |
第2章 实验部分 | 第23-31页 |
2.1 实验仪器及试剂 | 第23-26页 |
2.1.1 主要实验仪器 | 第23-24页 |
2.1.2 主要实验试剂 | 第24-25页 |
2.1.3 试剂的纯化 | 第25-26页 |
2.1.4 ITO玻璃的预处理 | 第26页 |
2.2 单体及聚合物的合成 | 第26-28页 |
2.2.1 单体 4-(4-氨基苯氧基)吡啶的合成 | 第26页 |
2.2.2 含吡啶基三芳胺聚合物P1的合成 | 第26-27页 |
2.2.3 含吡啶基三芳胺聚合物P2的合成 | 第27页 |
2.2.4 含吡啶季铵盐三芳胺聚合物P3的合成 | 第27页 |
2.2.5 含吡啶季铵盐三芳胺聚合物P4的合成 | 第27-28页 |
2.3 聚合物的测试和表征方法 | 第28-30页 |
2.3.1 傅立叶红外光谱(FT-IR) | 第28页 |
2.3.2 核磁共振波谱法(NMR) | 第28页 |
2.3.3 凝胶渗透色谱法(GPC) | 第28页 |
2.3.4 紫外-可见吸收光谱(UV-vis) | 第28页 |
2.3.5 循环伏安法(CV) | 第28-29页 |
2.3.6 热重分析(TGA) | 第29页 |
2.3.7 扫描电镜分析(SEM) | 第29页 |
2.3.8 电致变色器件的制备 | 第29页 |
2.3.9 有机存储器件的制备 | 第29-30页 |
2.4 本章小结 | 第30-31页 |
第3章 结果与讨论 | 第31-62页 |
3.1 单体和聚合物的合成路线 | 第31-33页 |
3.2 核磁谱图分析 | 第33-34页 |
3.3 红外谱图分析 | 第34-36页 |
3.3.1 单体的红外光谱图 | 第34页 |
3.3.2 聚合物的红外光谱图 | 第34-36页 |
3.4 聚合物的热性能 | 第36-37页 |
3.5 聚合物的电化学性能分析 | 第37-44页 |
3.5.1 聚合物P1薄膜的循环伏安谱图 | 第37页 |
3.5.2 聚合物P2薄膜的循环伏安谱图 | 第37-38页 |
3.5.3 聚合物P3薄膜的循环伏安谱图 | 第38-40页 |
3.5.4 聚合物P4薄膜的循环伏安谱图 | 第40-41页 |
3.5.5 聚合物P3器件的循环伏安谱图 | 第41-42页 |
3.5.6 聚合物P4器件的循环伏安谱图 | 第42-43页 |
3.5.7 聚合物电致变色机理 | 第43-44页 |
3.6 聚合物P1-P4薄膜的电致变色性能 | 第44-48页 |
3.6.1 聚合物P1薄膜的电致变色性能 | 第44-45页 |
3.6.2 聚合物P2薄膜的电致变色性能 | 第45页 |
3.6.3 聚合物P3薄膜的电致变色性能 | 第45-46页 |
3.6.4 聚合物P4薄膜的电致变色性能 | 第46-48页 |
3.7 4 种聚合物的电化学性能分析 | 第48页 |
3.8 薄膜的响应时间和变色效率 | 第48-52页 |
3.9 光电化学活性 | 第52-54页 |
3.9.1 含吡啶三芳胺聚合物的光电化学活性 | 第52-53页 |
3.9.2 含吡啶季铵盐三芳胺聚合物的光电化学活性 | 第53-54页 |
3.10 基于二唑基和吡啶季铵盐基的含氟聚三芳胺存储性能的研究 | 第54-60页 |
3.10.1 记忆存储器件的结构 | 第55-56页 |
3.10.2 存储器件的断面形貌 | 第56页 |
3.10.3 记忆存储器件的电学性能测试 | 第56-60页 |
3.11 本章小结 | 第60-62页 |
结论 | 第62-64页 |
参考文献 | 第64-75页 |
致谢 | 第75-76页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第76页 |