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含吡啶季铵盐聚三芳胺的合成与电致变色性能研究

中文摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第1章 绪论第9-23页
    1.1 电致变色材料概述第9页
    1.2 电致变色材料的分类第9-13页
        1.2.1 无机电致变色材料第10页
        1.2.2 有机电致变色材料第10-13页
    1.3 三芳胺类聚合物电致变色材料第13-17页
    1.4 有机电存储器件第17-22页
        1.4.1 有机电存储器件概述第17-19页
        1.4.2 聚合物电存储器件第19-20页
        1.4.3 三芳胺类电存储器件第20-22页
    1.5 本课题的选题思路及主要内容第22-23页
第2章 实验部分第23-31页
    2.1 实验仪器及试剂第23-26页
        2.1.1 主要实验仪器第23-24页
        2.1.2 主要实验试剂第24-25页
        2.1.3 试剂的纯化第25-26页
        2.1.4 ITO玻璃的预处理第26页
    2.2 单体及聚合物的合成第26-28页
        2.2.1 单体 4-(4-氨基苯氧基)吡啶的合成第26页
        2.2.2 含吡啶基三芳胺聚合物P1的合成第26-27页
        2.2.3 含吡啶基三芳胺聚合物P2的合成第27页
        2.2.4 含吡啶季铵盐三芳胺聚合物P3的合成第27页
        2.2.5 含吡啶季铵盐三芳胺聚合物P4的合成第27-28页
    2.3 聚合物的测试和表征方法第28-30页
        2.3.1 傅立叶红外光谱(FT-IR)第28页
        2.3.2 核磁共振波谱法(NMR)第28页
        2.3.3 凝胶渗透色谱法(GPC)第28页
        2.3.4 紫外-可见吸收光谱(UV-vis)第28页
        2.3.5 循环伏安法(CV)第28-29页
        2.3.6 热重分析(TGA)第29页
        2.3.7 扫描电镜分析(SEM)第29页
        2.3.8 电致变色器件的制备第29页
        2.3.9 有机存储器件的制备第29-30页
    2.4 本章小结第30-31页
第3章 结果与讨论第31-62页
    3.1 单体和聚合物的合成路线第31-33页
    3.2 核磁谱图分析第33-34页
    3.3 红外谱图分析第34-36页
        3.3.1 单体的红外光谱图第34页
        3.3.2 聚合物的红外光谱图第34-36页
    3.4 聚合物的热性能第36-37页
    3.5 聚合物的电化学性能分析第37-44页
        3.5.1 聚合物P1薄膜的循环伏安谱图第37页
        3.5.2 聚合物P2薄膜的循环伏安谱图第37-38页
        3.5.3 聚合物P3薄膜的循环伏安谱图第38-40页
        3.5.4 聚合物P4薄膜的循环伏安谱图第40-41页
        3.5.5 聚合物P3器件的循环伏安谱图第41-42页
        3.5.6 聚合物P4器件的循环伏安谱图第42-43页
        3.5.7 聚合物电致变色机理第43-44页
    3.6 聚合物P1-P4薄膜的电致变色性能第44-48页
        3.6.1 聚合物P1薄膜的电致变色性能第44-45页
        3.6.2 聚合物P2薄膜的电致变色性能第45页
        3.6.3 聚合物P3薄膜的电致变色性能第45-46页
        3.6.4 聚合物P4薄膜的电致变色性能第46-48页
    3.7 4 种聚合物的电化学性能分析第48页
    3.8 薄膜的响应时间和变色效率第48-52页
    3.9 光电化学活性第52-54页
        3.9.1 含吡啶三芳胺聚合物的光电化学活性第52-53页
        3.9.2 含吡啶季铵盐三芳胺聚合物的光电化学活性第53-54页
    3.10 基于二唑基和吡啶季铵盐基的含氟聚三芳胺存储性能的研究第54-60页
        3.10.1 记忆存储器件的结构第55-56页
        3.10.2 存储器件的断面形貌第56页
        3.10.3 记忆存储器件的电学性能测试第56-60页
    3.11 本章小结第60-62页
结论第62-64页
参考文献第64-75页
致谢第75-76页
攻读硕士学位期间发表的论文第76页

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