| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 研究现状 | 第9-15页 |
| 1.2.1 GaN HEMT器件的研究进展 | 第9-12页 |
| 1.2.2 微动元传感器的研究进展 | 第12-15页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 | 第15-18页 |
| 第2章 具有微动元结构的GaN HEMT器件原理及薄膜仿真 | 第18-28页 |
| 2.1 材料特性 | 第18-21页 |
| 2.1.1 材料结构 | 第18-19页 |
| 2.1.2 极化效应 | 第19-21页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT工作原理 | 第21-23页 |
| 2.3 AlGaN/GaN微动隔膜ANSYS仿真研究 | 第23-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-28页 |
| 第3章 HEMT器件制备及关键工艺研究 | 第28-44页 |
| 3.1 HEMT器件制备实验准备 | 第28-30页 |
| 3.1.1 外延片清洗准备 | 第28-29页 |
| 3.1.2 光刻工艺研究 | 第29-30页 |
| 3.2 HEMT器件制备的关键工艺研究 | 第30-42页 |
| 3.2.1 有源区隔离及SiO2保护台面工艺研究 | 第30-33页 |
| 3.2.2 源漏欧姆接触电极的制备工艺研究 | 第33-38页 |
| 3.2.3 肖特基栅极的制备工艺研究 | 第38-42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 AlGaN/GaN微动隔膜的制备研究及应用 | 第44-54页 |
| 4.1 Si衬底深腐蚀工艺分析及腐蚀液的确定 | 第44-47页 |
| 4.2 掩膜材料的确定及微动隔膜制备工艺研究 | 第47-50页 |
| 4.3 AlGaN/GaN微动隔膜的应用 | 第50-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-54页 |
| 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
