| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 1 引言 | 第13-37页 |
| 1.1 红外探测及其应用 | 第13-14页 |
| 1.2 短波红外InGaAs探测器研究进展 | 第14-24页 |
| 1.2.1 短波红外InGaAs探测器及研究焦点 | 第14-21页 |
| 1.2.2 短波红外InGaAs探测器发展现状 | 第21-24页 |
| 1.3 短波红外InGaAs探测器关键技术 | 第24-35页 |
| 1.3.1 InGaAs探测器的材料特性 | 第24-25页 |
| 1.3.2 InGaAs探测器欧姆接触 | 第25-26页 |
| 1.3.3 InGaAs探测器光敏元的成结技术 | 第26-33页 |
| 1.3.4 InGaAs探测器的表面钝化技术 | 第33-35页 |
| 1.4 本论文的研究目的和主要内容 | 第35-37页 |
| 2 平面型InGaAs探测器金-半接触的温度特性研究 | 第37-49页 |
| 2.1 引言 | 第37页 |
| 2.2 晶格匹配平面型InGaAs探测器欧姆接触特性 | 第37-43页 |
| 2.2.1 Au/InP欧姆接触的退火参数优化 | 第37-41页 |
| 2.2.2 Au/InP欧姆接触温度特性研究 | 第41-43页 |
| 2.3 延伸波长平面型InGaAs探测器欧姆接触的温度特性研究 | 第43-47页 |
| 2.3.1 实验 | 第43-44页 |
| 2.3.2 结果分析与讨论 | 第44-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 3 晶格匹配平面型InGaAs探测器关键工艺优化 | 第49-83页 |
| 3.1 高温处理对氮化硅薄膜钝化性能的影响研究 | 第49-62页 |
| 3.1.1 实验设计 | 第49-50页 |
| 3.1.2 氮化硅薄膜钝化性能的光致发光谱(PL)分析 | 第50-53页 |
| 3.1.3 周长面积比测试结构器件验证 | 第53-57页 |
| 3.1.4 基于表面p~+-n结的表面漏电模型 | 第57-62页 |
| 3.2 扩散掺杂元素激活处理及其对探测器性能影响的研究 | 第62-72页 |
| 3.2.1 样品制备 | 第63-64页 |
| 3.2.2 扩散掺杂元素的激活处理研究 | 第64-67页 |
| 3.2.3 测试结构器件验证 | 第67-72页 |
| 3.3 32×32元面阵InGaAs探测器研究 | 第72-76页 |
| 3.3.1 芯片制备 | 第72页 |
| 3.3.2 芯片性能分析 | 第72-76页 |
| 3.4 面阵InGaAs探测器的制备和研究 | 第76-83页 |
| 3.4.1 扩散热激活处理对面阵成结均匀性的影响 | 第76-78页 |
| 3.4.2 512×256元和 1024×128元InGaAs焦平面 | 第78-80页 |
| 3.5 本章小结 | 第80-83页 |
| 4 延伸波长平面型InGaAs探测器关键工艺优化 | 第83-107页 |
| 4.1 引言 | 第83页 |
| 4.2 Zn元素在失配体系In_yAl_(1-y)As/In_xGa_(1-x)As异质结中的扩散行为研究 | 第83-92页 |
| 4.2.1 实验设计 | 第83-84页 |
| 4.2.2 杂质扩散的扫描电容显微镜(SCM)表征研究 | 第84-92页 |
| 4.3 周长面积比测试结构器件验证 | 第92-99页 |
| 4.3.1 测试结构器件的室温I-V和光电流特性 | 第93-95页 |
| 4.3.2 探测器的光谱响应特性 | 第95-99页 |
| 4.4 延伸波长平面型InGaAs探测器LBIC分析 | 第99-104页 |
| 4.4.1 LBIC的测试系统及测试原理 | 第99-101页 |
| 4.4.2 LBIC测试与分析 | 第101-104页 |
| 4.5 本章小结 | 第104-107页 |
| 5 延伸波长平面型InGaAs探测器暗电流研究 | 第107-125页 |
| 5.1 引言 | 第107-108页 |
| 5.2 暗电流理论 | 第108-112页 |
| 5.2.1 扩散电流 | 第108-109页 |
| 5.2.2 产生复合电流 | 第109-110页 |
| 5.2.3 隧穿电流 | 第110-111页 |
| 5.2.4 界面复合电流 | 第111页 |
| 5.2.5 表面漏电流 | 第111-112页 |
| 5.2.6 分路电流 | 第112页 |
| 5.3 延伸波长平面型InGaAs探测器的暗电流特性 | 第112-117页 |
| 5.3.1 不同扩散条件平面型探测器I-V性能研究 | 第112-115页 |
| 5.3.2 不同钝化膜平面型探测器I-V特性研究 | 第115-117页 |
| 5.4 平面型延伸波长InGaAs探测器暗电流成份分析 | 第117-124页 |
| 5.4.1 隧穿电流的估算 | 第117-118页 |
| 5.4.2 零偏暗电流分析 | 第118-119页 |
| 5.4.3 优值因子R0A与温度T的关系 | 第119-121页 |
| 5.4.4 暗电流理想因子分析 | 第121-122页 |
| 5.4.5 不同温度下的暗电流成份分析 | 第122-124页 |
| 5.5 本章小结 | 第124-125页 |
| 6 全文总结与展望 | 第125-129页 |
| 6.1 全文总结 | 第125-127页 |
| 6.2 展望 | 第127-129页 |
| 参考文献 | 第129-141页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第141页 |
