| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 1 硅纳米材料在环境领域的研究进展 | 第11-30页 |
| 1.1 光催化技术研究概述 | 第11-13页 |
| 1.1.1 光催化技术的基本原理 | 第11-12页 |
| 1.1.2 光催化技术的应用 | 第12-13页 |
| 1.2 环境光催化研究现状 | 第13-16页 |
| 1.2.1 光催化降解污染物的优势和不足 | 第13-15页 |
| 1.2.2 提高光催化剂能量效率的主要方法 | 第15-16页 |
| 1.2.3 展望 | 第16页 |
| 1.3 硅纳米材料在环境领域的应用 | 第16-21页 |
| 1.3.1 常见硅纳米材料及硅纳米线的制备方法简介 | 第16-18页 |
| 1.3.2 硅纳米材料在环境领域中的应用举例 | 第18-19页 |
| 1.3.3 硅纳米材料在环境领域中的应用缺陷 | 第19-20页 |
| 1.3.4 展望 | 第20-21页 |
| 1.4 硅纳米材料保护层的研究进展 | 第21-25页 |
| 1.4.1 导电聚合物 | 第21-22页 |
| 1.4.2 金属氧化物半导体 | 第22-24页 |
| 1.4.3 碳材料 | 第24-25页 |
| 1.4.4 其他 | 第25页 |
| 1.5 g-C_3N_4有机半导体概述 | 第25-28页 |
| 1.5.1 g-C_3N_4的结构与特性 | 第25-26页 |
| 1.5.2 g-C_3N_4的制备和应用 | 第26-27页 |
| 1.5.3 超薄g-C_3N_4的优异特性 | 第27-28页 |
| 1.6 选题的依据、目的、意义和内容 | 第28-30页 |
| 1.6.1 选题依据和研究目的 | 第28页 |
| 1.6.2 研究内容 | 第28-29页 |
| 1.6.3 研究意义 | 第29-30页 |
| 2 SiNW/g-C_3N_4的制备与表征 | 第30-46页 |
| 2.1 实验部分 | 第30-36页 |
| 2.1.1 实验试剂与材料 | 第30页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第30-31页 |
| 2.1.3 硅纳米线阵列的制备 | 第31-32页 |
| 2.1.4 g-C_3N_4的制备 | 第32-33页 |
| 2.1.5 SiNW/g-C_3N_4复合电极的制备 | 第33-34页 |
| 2.1.6 样品的表征 | 第34-36页 |
| 2.2 结果与讨论 | 第36-44页 |
| 2.2.1 硅纳米线阵列制备参数的优化 | 第36-37页 |
| 2.2.2 样品的形貌表征 | 第37-41页 |
| 2.2.3 元素组成分析 | 第41-42页 |
| 2.2.4 结构表征 | 第42-43页 |
| 2.2.5 光吸收性能表征 | 第43-44页 |
| 2.3 本章小结 | 第44-46页 |
| 3 SiNW/g-C_3N_4复合电极的光电化学和光电催化降解苯酚性能研究 | 第46-60页 |
| 3.1 实验部分 | 第46-48页 |
| 3.1.1 实验试剂与材料 | 第46页 |
| 3.1.2 实验仪器 | 第46页 |
| 3.1.3 样品的光电化学性能测试实验 | 第46-47页 |
| 3.1.4 样品的光电催化降解苯酚实验 | 第47-48页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第48-58页 |
| 3.2.1 电泳沉积时间的优化 | 第48-52页 |
| 3.2.2 材料的光电化学性能 | 第52-53页 |
| 3.2.3 材料的光电催化性能 | 第53-57页 |
| 3.2.4 光电催化机理探讨 | 第57-58页 |
| 3.3 本章小结 | 第58-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
