| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 二硫化钼薄膜的基本特性 | 第10-12页 |
| 1.3 二硫化钼薄膜的用途 | 第12-15页 |
| 1.3.1 场效应晶体管 | 第12-13页 |
| 1.3.2 传感器 | 第13-15页 |
| 1.3.3 电池的电极材料 | 第15页 |
| 1.4 二硫化钼薄膜主要的制备方法 | 第15-18页 |
| 1.4.1 以四硫代钼酸铵作为前驱体 | 第15-16页 |
| 1.4.2 以Mo作为前驱体 | 第16-17页 |
| 1.4.3 以MoO_3、MoS_2、MoCl_5作为前驱体 | 第17-18页 |
| 1.5 国内外二硫化钼薄膜研究现状 | 第18-19页 |
| 1.5.1 国外二硫化钼薄膜研究现状 | 第18页 |
| 1.5.2 国内二硫化钼薄膜研究现状 | 第18-19页 |
| 1.6 本论文研究意义及主要内容 | 第19-20页 |
| 1.6.1 研究意义 | 第19页 |
| 1.6.2 研究的主要内容 | 第19-20页 |
| 第二章 实验过程及方法 | 第20-28页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 实验材料及仪器 | 第20-21页 |
| 2.2.1 实验材料 | 第20页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第20-21页 |
| 2.3 实验方法 | 第21-24页 |
| 2.3.1 四硫代钼酸铵的制备方法 | 第21页 |
| 2.3.2 成膜方法 | 第21-24页 |
| 2.4 表征方法 | 第24-28页 |
| 2.4.1 光学显微镜 | 第24页 |
| 2.4.2 原子力显微镜 | 第24-25页 |
| 2.4.3 扫描电子显微镜 | 第25-26页 |
| 2.4.4 拉曼光谱 | 第26-28页 |
| 第三章 制备四硫代钼酸铵膜的技术研究 | 第28-38页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 四硫代钼酸铵的制备及表征 | 第28-31页 |
| 3.2.1 四硫代钼酸铵的制备 | 第28-29页 |
| 3.2.2 四硫代钼酸铵的XRD分析 | 第29-30页 |
| 3.2.3 四硫代钼酸铵的红外分析 | 第30-31页 |
| 3.3 四硫代钼酸铵成膜研究 | 第31-32页 |
| 3.3.1 镀膜基底的预处理 | 第31-32页 |
| 3.3.2 四硫代钼酸铵的溶解 | 第32页 |
| 3.4 四硫代钼酸铵镀膜及表征 | 第32-37页 |
| 3.4.1 旋转镀膜 | 第32-34页 |
| 3.4.2 浸渍提拉镀膜 | 第34-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 制备二硫化钼薄膜的技术研究 | 第38-50页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 二硫化钼薄膜的制备 | 第38-39页 |
| 4.3 影响二硫化钼生长的因素分析 | 第39-46页 |
| 4.3.1 PVA掺量对二硫化钼生长的影响 | 第39-40页 |
| 4.3.2 四硫代钼酸铵掺量对二硫化钼生长的影响 | 第40-42页 |
| 4.3.3 压力对二硫化钼生长的影响 | 第42-45页 |
| 4.3.4 时间对二硫化钼生长的影响 | 第45-46页 |
| 4.4 二硫化钼薄膜的转移 | 第46-49页 |
| 4.4.1 二硫化钼薄膜转移的主要步骤 | 第47-48页 |
| 4.4.2 铜网上二硫化钼薄膜的TEM分析 | 第48页 |
| 4.4.3 二硫化钼薄膜的电化学析氢 | 第48-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第60页 |