摘要 | 第6-8页 |
Abstract | 第8-9页 |
第一章 前言 | 第13-15页 |
第二章 文献综述 | 第15-35页 |
2.1 透明导电氧化物薄膜 | 第15-25页 |
2.1.1 TCO薄膜的透明导电机理 | 第15-20页 |
2.1.2 TCO薄膜的研究现状 | 第20-22页 |
2.1.3 TCO薄膜的应用 | 第22-25页 |
2.2 ZnO基透明导电薄膜 | 第25-32页 |
2.2.1 ZnO的晶体结构及基本性质 | 第25-27页 |
2.2.2 ZnO的能带结构 | 第27页 |
2.2.3 ZnO基薄膜的制备方法 | 第27-30页 |
2.2.4 ZnO基TCO的研究现状 | 第30-32页 |
2.3 本文的选题依据和研究内容 | 第32-35页 |
第三章 GZO基透明导电薄膜的制备及性能表征 | 第35-43页 |
3.1 磁控溅射技术 | 第35-39页 |
3.1.1 磁控溅射原理 | 第35-37页 |
3.1.2 实验设备 | 第37-38页 |
3.1.3 实验工艺 | 第38-39页 |
3.2 电子束蒸发技术 | 第39-41页 |
3.2.1 蒸发原理 | 第39-40页 |
3.2.2 实验设备 | 第40页 |
3.2.3 实验工艺 | 第40-41页 |
3.3 衬底及其清洗方法 | 第41-42页 |
3.4 性能表征 | 第42-43页 |
第四章 HGZO薄膜的制备以及其性能 | 第43-55页 |
4.1 正交实验设计方法 | 第43-46页 |
4.1.1 正交实验设计 | 第44页 |
4.1.2 正交实验法的基本工具 | 第44-45页 |
4.1.3 正交实验设计的基本步骤 | 第45-46页 |
4.1.4 正交实验结果分析 | 第46页 |
4.2 正交实验设计在HGZO薄膜沉积中的应用 | 第46-54页 |
4.2.1 实验因素和水平 | 第46-47页 |
4.2.2 正交阵列的设定 | 第47-48页 |
4.2.3 信噪比分析 | 第48-50页 |
4.2.4 方差分析 | 第50-51页 |
4.2.5 最佳条件下生长的HGZO薄膜验证 | 第51-52页 |
4.2.6 最佳条件下生长的HGZO薄膜的性能 | 第52-54页 |
4.3 本章小结 | 第54-55页 |
第五章 GZO/Cu栅格/GZO薄膜制备及其性能研究 | 第55-67页 |
5.1 Cu层厚度对GZO/Cu/GZO三明治结构薄膜光电性能的影响 | 第57-58页 |
5.2 GZO/Cu栅格/GZO薄膜的结构性能 | 第58页 |
5.3 GZO/Cu栅格/GZO多层薄膜的光学性能 | 第58-60页 |
5.4 GZO/Cu栅格/GZO多层薄膜的电学性能 | 第60-61页 |
5.5 实验结果与计算数值对比 | 第61-62页 |
5.6 GZO/Cu栅格/GZO多层薄膜的性能指数 | 第62-64页 |
5.7 本章小结 | 第64-67页 |
第六章 GZO/Cu栅格两层薄膜制备及其性能研究 | 第67-77页 |
6.1 Cu层厚度对GZO/Cu两层薄膜光电性能的影响 | 第68-69页 |
6.2 GZO/Cu栅格透明导电薄膜的结构 | 第69页 |
6.3 GZO/Cu栅格结构两层薄膜的光学性能 | 第69-70页 |
6.4 GZO/Cu栅格两层薄膜的电学性能 | 第70-71页 |
6.5 实验结果与计算数值对比 | 第71-74页 |
6.6 GZO/Cu栅格两层薄膜的性能指数 | 第74-75页 |
6.7 本章小结 | 第75-77页 |
第七章 柔性衬底上GZO薄膜的应力性能研究 | 第77-87页 |
7.1 GZO薄膜的生长参数与残余应力测量方法 | 第77-79页 |
7.1.1 GZO透明导电薄膜的生长参数 | 第77-78页 |
7.1.2 GZO薄膜应力测量方法 | 第78-79页 |
7.2 对PC衬底上GZO薄膜残余应力的薄膜厚度影响 | 第79-82页 |
7.3 对PC衬底上GZO薄膜残余应力的溅射功率影响 | 第82-84页 |
7.4 同基片曲率法结果对比 | 第84-85页 |
7.5 小结论 | 第85-87页 |
第八章 结论、应用前景以及展望 | 第87-91页 |
8.1 结论 | 第87-89页 |
8.2 本文的创新点 | 第89页 |
8.3 应用前景与展望 | 第89-91页 |
参考文献 | 第91-104页 |
攻读博士期间发表的论文 | 第104页 |