| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 选题背景及研究的目的意义 | 第10-11页 |
| 1.2 集成电路电EMP效应的的研究现状与发展趋势 | 第11-14页 |
| 1.2.1 电磁脉冲注入及辐照实验研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.2 电磁脉冲干扰效应理论研究发展 | 第13-14页 |
| 1.3 本文的主要内容及内容安排 | 第14-16页 |
| 第2章 集成电路的电磁损伤机理及注入实验研究 | 第16-28页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 常见的电磁脉冲介绍 | 第16-19页 |
| 2.2.1 核电磁脉冲 | 第16-17页 |
| 2.2.2 超宽带电磁脉冲 | 第17-18页 |
| 2.2.3 高功率微波 | 第18-19页 |
| 2.3 集成电路的电磁脉冲失效模式与机理 | 第19-21页 |
| 2.4 电子系统电磁脉冲效应分类 | 第21-22页 |
| 2.5 典型集成电路的注入实验 | 第22-27页 |
| 2.5.1 实验中的典型集成电路 | 第22-24页 |
| 2.5.2 实验仪器与实验步骤 | 第24-27页 |
| 2.6 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 注入实验的数据处理与结果分析 | 第28-41页 |
| 3.1 实验数据分析 | 第28-32页 |
| 3.2 BP神经网络原 | 第32-37页 |
| 3.2.1 人工神经网络 | 第32-33页 |
| 3.2.2 BP学习算法 | 第33-37页 |
| 3.3 BP神经网络对损伤概率的预测应用 | 第37-40页 |
| 3.4 实验结论分析 | 第40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 电磁辐照时的集成电路干扰效应研究 | 第41-50页 |
| 4.1 电磁波与带孔缝金属腔体的耦合 | 第41-47页 |
| 4.1.1 小孔耦合理论 | 第41-42页 |
| 4.1.2 小孔耦合的推导方法 | 第42-45页 |
| 4.1.3 金属腔体表面孔缝节点的分析 | 第45页 |
| 4.1.4 金属腔体内响应电压分析 | 第45-47页 |
| 4.2 仿真分析 | 第47-49页 |
| 4.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第5章 结论与展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及其他成果 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |