| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 铁电材料及铁电存储器概述 | 第9-15页 |
| 1.1.1 铁电材料简介 | 第9-11页 |
| 1.1.2 铁电存储器分类及优势 | 第11-14页 |
| 1.1.3 铁电存储器的失效问题及产生原因 | 第14-15页 |
| 1.2 铁电存储器内微观结构的影响机理及研究现状 | 第15-21页 |
| 1.2.1 铁电薄膜界面失配应变的影响机理及研究现状 | 第15-16页 |
| 1.2.2 铁电薄膜位错的影响机理及研究现状 | 第16-21页 |
| 1.3 本论文的选题依据和主要内容 | 第21-23页 |
| 1.3.1 本论文的选题依据 | 第21-22页 |
| 1.3.2 本论文的主要内容 | 第22-23页 |
| 第2章 有限元计算方法与相场理论介绍 | 第23-34页 |
| 2.1 相场理论及经典相场模型建立 | 第23-26页 |
| 2.1.1 经典相场理论简介 | 第23-24页 |
| 2.1.2 经典相场模型建立 | 第24-26页 |
| 2.2 挠曲电效应相场模型建立 | 第26-29页 |
| 2.2.1 挠曲电耦合效应简介 | 第26-28页 |
| 2.2.2 挠曲电相场模型建立 | 第28-29页 |
| 2.3 有限元方法 | 第29-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 第3章 失配应变对铁电薄膜 90o 畴结构的影响 | 第34-40页 |
| 3.1 铁电薄膜失配应变相场模型建立 | 第34-35页 |
| 3.1.1 几何模型、边界条件及铁电薄膜材料参数 | 第34-35页 |
| 3.1.2 有限元离散 | 第35页 |
| 3.2 模拟结果与讨论 | 第35-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 位错相场模型的建立 | 第40-49页 |
| 4.1 仅考虑压电效应的位错相场模型 | 第40-43页 |
| 4.1.1 几何模型与边界条件 | 第40-41页 |
| 4.1.2 有限元离散 | 第41页 |
| 4.1.3 模拟结果 | 第41-43页 |
| 4.2 考虑挠曲电效应的位错相场模型 | 第43-48页 |
| 4.2.1 考虑挠曲电效应的位错相场模型建立 | 第44页 |
| 4.2.2 有限元离散 | 第44-45页 |
| 4.2.3 模拟结果与分析讨论 | 第45-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 单位错对铁电薄膜畴结构的影响 | 第49-59页 |
| 5.1 引言 | 第49页 |
| 5.2 模型建立 | 第49-51页 |
| 5.3 计算结果与讨论 | 第51-57页 |
| 5.3.1 不同取向的界面位错对单c畴结构的影响 | 第51-52页 |
| 5.3.2 薄膜内部不同取向的位错对单c畴结构的影响 | 第52-54页 |
| 5.3.3 薄膜内部位错对多畴结构的影响 | 第54-57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第6章 周期位错对铁电薄膜畴结构及极化响应的影响 | 第59-68页 |
| 6.1 引言 | 第59页 |
| 6.2 模型建立 | 第59-60页 |
| 6.3 计算结果与讨论 | 第60-67页 |
| 6.3.1 界面周期位错对单c畴结构的影响 | 第60-62页 |
| 6.3.2 薄膜内周期位错对单c畴结构影响 | 第62-64页 |
| 6.3.3 薄膜内部周期位错对多畴结构影响 | 第64-66页 |
| 6.3.4 周期位错对铁电薄膜极化响应影响 | 第66-67页 |
| 6.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第7章 总结与展望 | 第68-70页 |
| 7.1 论文总结 | 第68-69页 |
| 7.2 研究展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 附录：刃型位错的应力场 | 第75-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 个人简历与在学期间发表的学术论文 | 第84页 |