| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-29页 |
| 1.1 非易失性存储器发展历程 | 第9-11页 |
| 1.1.1 传统非易失性存储器 | 第9-10页 |
| 1.1.2 非易失性存储器的发展趋势 | 第10-11页 |
| 1.2 阻变存储器基础 | 第11-14页 |
| 1.2.1 电阻转变效应简介 | 第12页 |
| 1.2.2 阻变存储器的基本结构及性能参数 | 第12-14页 |
| 1.3 阻变存储器材料体系 | 第14-21页 |
| 1.3.1 无机阻变材料 | 第14-19页 |
| 1.3.2 有机阻变材料 | 第19-20页 |
| 1.3.3 纳米阻变材料 | 第20-21页 |
| 1.4 阻变存储器的电阻转换机制 | 第21-26页 |
| 1.4.1 电化学金属机制 | 第21-23页 |
| 1.4.2 化学价变化机制 | 第23-24页 |
| 1.4.3 热化学机制 | 第24-25页 |
| 1.4.4 静电/电子机制 | 第25-26页 |
| 1.5 阻变存储器的研究现状 | 第26-27页 |
| 1.6 本论文选题依据 | 第27-29页 |
| 第二章 氧化钛阻变存储器的制备及表征方法 | 第29-37页 |
| 2.1 氧化钛薄膜的制备 | 第29-32页 |
| 2.1.1 薄膜材料的制备方法 | 第29-31页 |
| 2.1.2 氧化钛薄膜的制备流程 | 第31-32页 |
| 2.2 微观结构表征方法 | 第32-34页 |
| 2.3 电学性能表征方法 | 第34-37页 |
| 第三章 氧化钛阻变器件的物理特性 | 第37-43页 |
| 3.1 氧化钛阻变存储器的阻变模型 | 第37-39页 |
| 3.1.1 氧空位模型 | 第37-38页 |
| 3.1.2 金属细丝模型 | 第38-39页 |
| 3.2 氧化钛阻变存储器的第一性原理计算 | 第39-42页 |
| 3.2.1 氧化钛薄膜中氧空位形成能的计算 | 第39-40页 |
| 3.2.2 氧化钛薄膜中电子能带结构的计算 | 第40-42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 氧化钛阻变器件的性能优化 | 第43-61页 |
| 4.1 氧化钛薄膜的阻变性能 | 第43-48页 |
| 4.1.1 氧化钛薄膜的微观表征 | 第43-44页 |
| 4.1.2 Pt/TiO_2/Pt器件的阻变特性 | 第44-46页 |
| 4.1.3 Pt/TiO_2/Pt器件的阻变机制 | 第46-47页 |
| 4.1.4 Pt/TiO_2/Pt器件的循环特性 | 第47-48页 |
| 4.2 掺杂对氧化钛阻变器件的性能调控 | 第48-57页 |
| 4.2.1 掺杂改性的理论基础及掺杂方案 | 第48-49页 |
| 4.2.2 P型离子掺杂氧化钛薄膜的阻变性能 | 第49-54页 |
| 4.2.3 N型离子掺杂氧化钛器件的阻变性能 | 第54-57页 |
| 4.3 电极对氧化钛阻变器件的性能调控 | 第57-59页 |
| 4.3.1 电极材料的选取 | 第57页 |
| 4.3.2 Ag电极对氧化钛器件的性能调控 | 第57-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 论文总结 | 第61-62页 |
| 5.2 工作展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 附录A 个人简历 | 第71-72页 |
| 附录B 攻读硕士学位期间发表论文目录及所参加的学术会议 | 第72页 |