| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 研究背景 | 第17-18页 |
| 1.1.1 智能手机市场现状 | 第17页 |
| 1.1.2 智能手机电磁兼容要求 | 第17-18页 |
| 1.1.3 智能手机设计中电磁兼容研究现状 | 第18页 |
| 1.2 主要内容、研究成果和研究特色 | 第18-22页 |
| 1.2.1 主要内容和研究成果 | 第18-22页 |
| 1.2.2 本文的特色 | 第22页 |
| 参考文献 | 第22-25页 |
| 第二章 智能手机物理结构、运行原理和干扰源的介绍 | 第25-35页 |
| 2.1 智能手机的物理结构介绍 | 第25-27页 |
| 2.1.1 PCB表层器件布局介绍 | 第25-26页 |
| 2.1.2 PCB内部印制电路的介绍 | 第26-27页 |
| 2.2 智能手机的硬件框图和运行原理的介绍 | 第27-28页 |
| 2.2.1 手机的原理框图和运行原理 | 第27-28页 |
| 2.2.2 分系统间的联系 | 第28页 |
| 2.3 智能手机中存在的干扰源,干扰源特点和抑制方法的介绍 | 第28-33页 |
| 2.3.1 数字电路的干扰源及抑制办法 | 第28-33页 |
| 2.3.1.1 周期性脉冲的频潜特性及其高频干扰抑制办法 | 第29-31页 |
| 2.3.1.2 高速数据信号的频谱分析及其高频干扰抑制办法 | 第31-32页 |
| 2.3.1.3 智能手机中高速数据和时钟信号电路 | 第32页 |
| 2.3.1.4 基准时钟电路 | 第32页 |
| 2.3.1.5 PWM干扰源电路 | 第32-33页 |
| 2.3.1.6 尖峰脉冲干扰源及其抑制办法 | 第33页 |
| 2.3.2 无线发射机噪声 | 第33页 |
| 参考文献 | 第33-35页 |
| 第三章 智能手机中电磁兼容问题的分析、分类和归纳 | 第35-50页 |
| 3.1 智能手机的电磁拓扑图的生成 | 第35-37页 |
| 3.1.1 器件和结构件的重新定义和分类 | 第35-36页 |
| 3.1.2 智能手机系统的电磁拓扑图 | 第36-37页 |
| 3.2 智能手机系统与外界的电磁兼容问题的分析 | 第37-44页 |
| 3.2.1 智能手机系统与外界相互传导干扰的分析 | 第37-41页 |
| 3.2.1.1 USB等数据传输接口和耳机、麦克风和听筒等音频接口与外界的传导互扰介绍 | 第37页 |
| 3.2.1.2 交流充电器接口与供电网络的传导互扰的介绍 | 第37-38页 |
| 3.2.1.3 天线接口的传导干扰问题 | 第38-40页 |
| 3.2.1.3.1 问题的分析 | 第38-39页 |
| 3.2.1.3.2 CSE问题的分析和实验流图 | 第39-40页 |
| 3.2.1.4 天线口的传导抗扰度问题 | 第40页 |
| 3.2.1.5 智能手机的静电抗扰度的介绍 | 第40-41页 |
| 3.2.2 智能手机系统对外界辐射干扰的分析 | 第41-43页 |
| 3.2.2.1 能导致辐射的部件 | 第42-43页 |
| 3.2.2.2 RSE问题的分析和实验流图 | 第43页 |
| 3.2.3 智能手机系统受外部辐射干扰的介绍 | 第43-44页 |
| 3.3 智能手机系统内部相互干扰的分析 | 第44-47页 |
| 3.3.1 依据干扰的耦合路径的分类 | 第44页 |
| 3.3.1.1 手机电路内的相互耦合 | 第44页 |
| 3.3.1.2 辐射部件间的相互耦合 | 第44页 |
| 3.3.2 依据相互干扰系统来分类 | 第44-47页 |
| 3.3.2.1 数字系统受到到传导和辐射于扰问题 | 第45页 |
| 3.3.2.2 无线系统受到数字系统传导和辐射干扰问题 | 第45-47页 |
| 3.3.2.2.1 问题的初步分析和归纳 | 第45页 |
| 3.3.2.2.2 Desense问题的分析和试验流图 | 第45-47页 |
| 3.3.2.3 无线通信系统之间的相互干扰问题 | 第47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 3.4.1 对智能手机中电磁兼容问题的归纳 | 第47-48页 |
| 3.4.2 实现智能手机电磁兼容需要更深一步研究的问题 | 第48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第四章 提高接收机抗扰能力的研究 | 第50-73页 |
| 4.1 绪论 | 第50页 |
| 4.2 智能手机接收机介绍 | 第50-51页 |
| 4.3 影响智能手机接收机抗扰度因素的研究 | 第51-60页 |
| 4.3.1 接收机输出信号误比特率的计算 | 第51-53页 |
| 4.3.2 信道编码和扩频对接收机抗扰度影响的分析 | 第53-59页 |
| 4.3.2.1 仿真设置 | 第53-55页 |
| 4.3.2.2 仿真结果的分析和实验验证 | 第55-57页 |
| 4.3.2.3 理论分析和进一步验证 | 第57-59页 |
| 4.3.3 本节小结 | 第59-60页 |
| 4.4 接收机灵敏度和DESENSE的分析和计算 | 第60-61页 |
| 4.4.1 接收机的灵敏度的计算 | 第60页 |
| 4.4.2 接收机Desense的计算 | 第60-61页 |
| 4.5 干扰受接收机射频非线性器件非线性作用后形成干扰的分析和计算 | 第61-65页 |
| 4.5.1 引言 | 第61页 |
| 4.5.2 器件的非线性 | 第61-62页 |
| 4.5.3 干扰受器件非线性作用的分析和计算 | 第62-64页 |
| 4.5.3.1 有用信号增益的减小和阻塞 | 第62页 |
| 4.5.3.2 交叉调制(Cross modulation) | 第62-63页 |
| 4.5.3.3 互调(Intermodulation)干扰 | 第63-64页 |
| 4.5.3.4 混频器相位噪声对干扰的搬移 | 第64页 |
| 4.5.4 本节小结 | 第64-65页 |
| 4.6 智能手机接收机射频前端的设计和优化 | 第65-71页 |
| 4.6.1 射频前端的设计和LNA的输入阻抗匹配 | 第65-67页 |
| 4.6.1.1 分级系统噪声系数的计算 | 第65-66页 |
| 4.6.1.2 接收机射频链路的噪声系数 | 第66页 |
| 4.6.1.3 射频前端的设计和LNA的输入阻抗匹配 | 第66-67页 |
| 4.6.2 具体的设计和优化 | 第67-71页 |
| 4.6.2.1 需要设计和优化接收机射频链路的框图 | 第67页 |
| 4.6.2.2 理想状态仿真 | 第67-69页 |
| 4.6.2.3 实际情况仿真 | 第69-70页 |
| 4.6.2.4 稳定性的验证 | 第70-71页 |
| 4.6.3 仿真的验证 | 第71页 |
| 4.7 本章小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
| 第五章 减少发射机干扰生成的研究 | 第73-93页 |
| 5.1 相关基础介绍 | 第73-80页 |
| 5.1.1 发射机干扰 | 第73-75页 |
| 5.1.1.1 发射机干扰介绍 | 第73-74页 |
| 5.1.1.2 发射机电路的介绍 | 第74-75页 |
| 5.1.2 射频非线性电路基础 | 第75-76页 |
| 5.1.2.1 射频非线性电路基尔霍夫方程的求解方法 | 第75页 |
| 5.1.2.2 射频非线性器件的建模 | 第75-76页 |
| 5.1.3 X参数模型介绍 | 第76-80页 |
| 5.1.3.1 X参数模型的现状及文献没有解决的问题 | 第76-77页 |
| 5.1.3.2 X参数的理论基础 | 第77-80页 |
| 5.2 射频高功率放大器的设计 | 第80-83页 |
| 5.2.1 发射机高功率放大器介绍 | 第80页 |
| 5.2.2 放大器的畸变和干扰机理 | 第80-82页 |
| 5.2.2.1 发射机谐波的生成机理 | 第80-81页 |
| 5.2.2.2 发射机邻道和杂散干扰的产生机理 | 第81页 |
| 5.2.2.3 互调干扰生成机理 | 第81-82页 |
| 5.2.3 高功率放大器的建模 | 第82-83页 |
| 5.3 TD-SCDMA高功率放大器X参数模型的建立、仿真与验证 | 第83-89页 |
| 5.3.1 仿真和验证的简化 | 第83页 |
| 5.3.2 TD-SCDMA放大器X参数模型的建立 | 第83-84页 |
| 5.3.3 仿真和验证的方法 | 第84-87页 |
| 5.3.3.1 仿真方法介绍 | 第84页 |
| 5.3.3.2 验证方法介绍 | 第84页 |
| 5.3.3.3 仿真和验证用到源的介绍 | 第84-86页 |
| 5.3.3.4 仿真和测试数据的后处理 | 第86-87页 |
| 5.3.4 仿真和验证总结 | 第87-89页 |
| 5.4 本章小结 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-93页 |
| 第六章 共存问题的研究 | 第93-120页 |
| 6.1 引言 | 第93-94页 |
| 6.2 智能手机内共存问题分析和设计的归纳和总结 | 第94-101页 |
| 6.2.1 共存问题示意框图 | 第94-95页 |
| 6.2.2 共存问题干扰的耦合途径 | 第95页 |
| 6.2.2.1 天线间的耦合 | 第95页 |
| 6.2.2.2 共器件耦合 | 第95页 |
| 6.2.3 共存问题分类 | 第95-97页 |
| 6.2.3.1 发射机对接收机的干扰 | 第95-96页 |
| 6.2.3.2 发射机间相互影响 | 第96-97页 |
| 6.2.4 共存问题的分析步骤 | 第97页 |
| 6.2.5 发射机产生干扰强度的获取 | 第97-99页 |
| 6.2.5.1 近似计算 | 第97-98页 |
| 6.2.5.2 X参数模型仿真 | 第98-99页 |
| 6.2.5.3 干扰产物的直接测量 | 第99页 |
| 6.2.6 共存问题的特点 | 第99-100页 |
| 6.2.6.1 可预测性 | 第99-100页 |
| 6.2.6.2 解决方法特殊 | 第100页 |
| 6.2.7 共存问题的努力方向总结 | 第100-101页 |
| 6.2.7.1 抑制干扰源 | 第100页 |
| 6.2.7.2 减少干扰的耦合 | 第100-101页 |
| 6.2.7.3 对接收机进行设计 | 第101页 |
| 6.2.7.4 软件设计 | 第101页 |
| 6.3 INTER-BAND载波聚合共存问题的分析和解决 | 第101-105页 |
| 6.3.1 发射机对接收机干扰的分析和计算以及解决方案介绍 | 第101-103页 |
| 6.3.2 发射机与发射机互调导致的问题 | 第103-105页 |
| 6.3.2.1 分析、计算和确定 | 第103-104页 |
| 6.3.2.2 GPS和GLONASS受到干扰问题的解决方案总结 | 第104-105页 |
| 6.3.2.3 LTE B1主接收机和MIMO接收机受到干扰问题解决方案总结 | 第105页 |
| 6.4 SGLTE智能手机设计中共存问题的分析、设计和验证 | 第105-116页 |
| 6.4.1 SGLTE同时工作的组合 | 第105-107页 |
| 6.4.2 SGLTE智能手机射频实现方法原理框图 | 第107-108页 |
| 6.4.3 发射机与发射机间的互调导致的问题的分析和解决 | 第108-109页 |
| 6.4.4 发射机对接收机的干扰 | 第109-112页 |
| 6.4.4.1 发射机有用信号对接收机的阻塞问题的分析、解决和验证 | 第110-112页 |
| 6.4.5 CMCC DCS1800与TD-SCDMA/TDD-LTE B39共存时发射机对接收机干扰的解决和验证 | 第112-115页 |
| 6.4.5.1 CMCC DCS1800发射机杂散对TD-SCDMA/TDD-LTE B39接收机干扰问题的解决和验证 | 第112-114页 |
| 6.4.5.1.1 发射机杂散导致接收机Desense的分析和近似计算 | 第112-113页 |
| 6.4.5.1.2 解决方案的设计 | 第113页 |
| 6.4.5.1.3 验证 | 第113-114页 |
| 6.4.5.2 TD-SCDMA/TDD-LTE B39发射机杂散对CMCC DCS1800接收机干扰问题的解决和验证 | 第114-115页 |
| 6.4.6 TDD-LTE B40/41 与2.4G WLAN共存问题的分析和解决和验证 | 第115-116页 |
| 6.5 本章小结 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-120页 |
| 第七章 智能手机电路中干扰传导耦合的研究 | 第120-138页 |
| 7.1 绪论 | 第120-121页 |
| 7.2 共地阻抗耦合 | 第121-131页 |
| 7.2.1 共地阻抗耦合的机理和导致的问题 | 第121-123页 |
| 7.2.2 共地导体阻抗 | 第123-124页 |
| 7.2.2.1 直流电阻 | 第123页 |
| 7.2.2.2 低频阻抗 | 第123页 |
| 7.2.2.3 高频阻抗 | 第123-124页 |
| 7.2.3 部分电感基础介绍 | 第124-130页 |
| 7.2.3.1 环路电感与部分电感的定义 | 第124-125页 |
| 7.2.3.2 部分导体的部分电感导致的感性压降的计算和其与环路电感的关系 | 第125-127页 |
| 7.2.3.3 PCB中导体高频部分电感数值计算介绍 | 第127-130页 |
| 7.2.4 共地阻抗耦合的抑制 | 第130-131页 |
| 7.2.4.1 器件布置和布线来避免共地阻抗耦合 | 第130-131页 |
| 7.2.4.2 减少公共导体对于干扰电流的部分电感 | 第131页 |
| 7.2.4.3 物理结构的设计来减少共地耦合 | 第131页 |
| 7.3 共电源和控制网路耦合 | 第131-133页 |
| 7.3.1 智能手机中常见的共网络耦合 | 第131-133页 |
| 7.3.1.1 共电源网络的波动而导致的问题以及应对措施 | 第132-133页 |
| 7.3.1.2 干扰通过共网路直接流经被干扰电路的介绍和应对措施 | 第133页 |
| 7.4 共器件耦合 | 第133-136页 |
| 7.4.1 Diplexer | 第134-135页 |
| 7.4.1.1 Diplexer在智能手机中的应用举例 | 第134页 |
| 7.4.1.2 器件的选择和应用方法介绍 | 第134-135页 |
| 7.4.2 Duplexer | 第135-136页 |
| 7.4.3 双刀双掷天线开关 | 第136页 |
| 7.5 本章小结 | 第136-137页 |
| 参考文献 | 第137-138页 |
| 第八章 传输线模型以及其在智能手机EMC分析和计算中应用的研究 | 第138-215页 |
| 8.1 引言 | 第138-142页 |
| 8.2 容性和感性耦合基础介绍 | 第142-145页 |
| 8.2.1 容性耦合的电路分析 | 第142-143页 |
| 8.2.1.1 减少耦合的方法 | 第143页 |
| 8.2.1.2 屏蔽机理的分析 | 第143页 |
| 8.2.2 感性耦合的电路分析 | 第143-145页 |
| 8.2.2.1 减少耦合的方法 | 第144页 |
| 8.2.2.2 磁感应屏蔽机理的分析 | 第144-145页 |
| 8.3 传输线基础介绍 | 第145-162页 |
| 8.3.1 传输线波动方程 | 第145-156页 |
| 8.3.1.1 传输系统Maxwell方程介绍 | 第145-146页 |
| 8.3.1.2 无耗传输线TEM波动求解 | 第146-148页 |
| 8.3.1.3 无耗传输线全波求解 | 第148-149页 |
| 8.3.1.4 有耗传输线全波的求解 | 第149-152页 |
| 8.3.1.5 低损耗传输线的准TEM波求解 | 第152-154页 |
| 8.3.1.6 本节小结 | 第154-156页 |
| 8.3.2 传输线方程的求解 | 第156-162页 |
| 8.3.2.1 等长多导体传输线方程生成 | 第156-157页 |
| 8.3.2.2 双导体传输线方程及方程通解 | 第157-158页 |
| 8.3.2.3 负载电流和电压确定的双导线传输线方程求解 | 第158-159页 |
| 8.3.2.4 始端电流电压确定的双导线传输线方程求解 | 第159页 |
| 8.3.2.5 始端电压源确定的双导线传输线方程求解 | 第159页 |
| 8.3.2.6 受任意点电压源(U_S)激励的传输线电流和电压求解 | 第159-160页 |
| 8.3.2.7 受任意点电流源(I_S)激励的传输线电流和电压求解 | 第160-161页 |
| 8.3.2.8 受沿线均匀分布电压源激励的传输线电压和电流求解 | 第161-162页 |
| 8.3.2.9 受沿线有均匀分布电流源激励的传输线电压和电流求解 | 第162页 |
| 8.4 PCB走线受外界电磁场激励响应的分析和计算 | 第162-166页 |
| 8.4.1 低频响应模型 | 第162-166页 |
| 8.4.1.1 静电法的建立 | 第162-165页 |
| 8.4.1.2 Taler模型到Agrawal模型[21]和Rachidi模型[23]的推导 | 第165页 |
| 8.4.1.3 传输线方程的求解 | 第165-166页 |
| 8.4.2 PCB走线束受外界高频干扰响应的分析和计算的介绍 | 第166页 |
| 8.5 PCB走线束间相互耦合问题的分析和计算 | 第166-170页 |
| 8.5.1 等长PCB双走线或走线束间相互耦合的分析和计算 | 第166页 |
| 8.5.2 不等长双PCB走线间相互耦合的等效长度法 | 第166-170页 |
| 8.5.2.1 不等长到等长的等效 | 第167-169页 |
| 8.5.2.1.1 干扰走线长度大于相干长度 | 第167-168页 |
| 8.5.2.1.2 被干扰线长度大于非相干线长度 | 第168-169页 |
| 8.5.2.2 不相干部分走线沿线电压和电流的求解 | 第169-170页 |
| 8.5.2.2.1 干扰线长度大于非相干线长度 | 第169页 |
| 8.5.2.2.2 被干扰线长度大于非相干线长度 | 第169-170页 |
| 8.5.3 双导线间弱耦合的积分求解法 | 第170页 |
| 8.6 被干扰走线长度大于相干长度的不等长双PCB走线间容性和感性弱耦合问题的研究 | 第170-201页 |
| 8.6.1 干扰走线沿线电压电流的表达式 | 第170-171页 |
| 8.6.2 被干扰走线特性参数 | 第171页 |
| 8.6.3 容性耦合沿线电压电流计算 | 第171-184页 |
| 8.6.3.1 沿线电压电流的积分表达式 | 第171-173页 |
| 8.6.3.1.1 始端微小电压和电流表示式 | 第171-172页 |
| 8.6.3.1.2 被干扰走线沿线电压和电流的积分表达式 | 第172页 |
| 8.6.3.1.3 干扰传播常数与被干扰传播常数关系的讨论 | 第172-173页 |
| 8.6.3.2 干扰走线和被干扰走线传播常数相等 | 第173-178页 |
| 8.6.3.2.1 沿线电压和电流的通用表达式求解 | 第173-175页 |
| 8.6.3.2.2 被干扰电路均匹配和干扰电路负载匹配 | 第175-176页 |
| 8.6.3.2.3 被干扰电路均匹配和干扰电路负载短路 | 第176-177页 |
| 8.6.3.2.4 被干扰电路均匹配和干扰电路负载开路 | 第177-178页 |
| 8.6.3.3 干扰走线和被干扰走线传播常数不相等 | 第178-184页 |
| 8.6.3.3.1 沿线电压和电流的通用表达式 | 第178-180页 |
| 8.6.3.3.2 干扰电路的传播常数为0 | 第180页 |
| 8.6.3.3.3 被干扰电路均匹配和干扰电路负载匹配 | 第180-181页 |
| 8.6.3.3.4 被干扰电路均匹配和干扰电路负载短路 | 第181-183页 |
| 8.6.3.3.5 被干扰电路均匹配和干扰电路负载开路 | 第183-184页 |
| 8.6.4 感性耦合沿线电压电流计算 | 第184-196页 |
| 8.6.4.1 沿线电压电流的积分表达式 | 第184-186页 |
| 8.6.4.1.1 始端细小电压和电流 | 第184-185页 |
| 8.6.4.1.2 被干拢线沿线电压和电流的表达式 | 第185-186页 |
| 8.6.4.2 沿线电压和电流的通用表达式 | 第186-189页 |
| 8.6.4.3 干扰电路的传播常数为0 | 第189-190页 |
| 8.6.4.4 被干扰电路均匹配和被干扰电路负载匹配 | 第190-192页 |
| 8.6.4.5 被干扰电路均匹配和干扰电路负载短路 | 第192-194页 |
| 8.6.4.6 被干扰电路均匹配和干扰电路负载开路 | 第194-196页 |
| 8.6.5 端口耦合功率影响因素分析 | 第196-201页 |
| 8.6.5.1 干扰走线影响函数的分析 | 第197-198页 |
| 8.6.5.1.1 内阻影响函数 | 第197-198页 |
| 8.6.5.1.2 抑制耦合的干扰走线设计 | 第198页 |
| 8.6.5.2 频率和相干长度影响的分析 | 第198-201页 |
| 8.7 本章小结 | 第201-203页 |
| 参考文献 | 第203-205页 |
| 附录1 | 第205-207页 |
| 附录2 | 第207-209页 |
| 附录3 | 第209-212页 |
| 附录4 | 第212-215页 |
| 第九章 智能手机中非故意辐射的研究 | 第215-232页 |
| 9.1 引言 | 第215-217页 |
| 9.2 基础介绍 | 第217-218页 |
| 9.2.1 电磁辐射基础介绍 | 第217-218页 |
| 9.3 非有意辐射的分析、建模和抑制 | 第218-228页 |
| 9.3.1 实际电流回路等效电路模型的建立 | 第218-219页 |
| 9.3.2 理想回路等效电路模型、理想回路的辐射以及辐射的抑制 | 第219-221页 |
| 9.3.2.1 理想回路及其辐射 | 第219-220页 |
| 9.3.2.2 辐射的抑制和受外界干扰的抑制 | 第220-221页 |
| 9.3.3 非理想回路等效电路模型、非理想回路的辐射以及辐射的抑制 | 第221-227页 |
| 9.3.3.1 非理想回路1 | 第221-223页 |
| 9.3.3.1.1 非理想回路以及其辐射 | 第222页 |
| 9.3.3.1.2 辐射的抑制和受外界干扰的抑制 | 第222-223页 |
| 9.3.3.2 非理想回路2 | 第223-225页 |
| 9.3.3.2.1 非理想回路以及其辐射 | 第223-224页 |
| 9.3.3.2.2 辐射的抑制和受外界干扰的抑制 | 第224-225页 |
| 9.3.3.3 非理想回路3 | 第225-227页 |
| 9.3.3.3.1 非理想回路以及其辐射 | 第225-226页 |
| 9.3.3.3.2 辐射的抑制和受外界干扰的抑制 | 第226-227页 |
| 9.3.4 差分回路辐射的分析和抑制 | 第227-228页 |
| 9.3.5 智能手机非有意辐射部件辐射的分析和抑制 | 第228页 |
| 9.4 非有意辐射的数值分析方法介绍 | 第228-229页 |
| 9.5 辐射部件间的辐射耦合问题的介绍 | 第229页 |
| 9.6 本章小结 | 第229-230页 |
| 参考文献 | 第230-232页 |
| 第十章 智能手机中屏蔽罩导致的问题的研究 | 第232-247页 |
| 10.1 引言 | 第232-233页 |
| 10.2 屏蔽罩影响导致的CSE问题的分析和解决 | 第233-241页 |
| 10.2.1 问题描述 | 第233-235页 |
| 10.2.2 问题实验分析和解决 | 第235-240页 |
| 10.2.2.1 实验设计 | 第235-236页 |
| 10.2.2.2 实验结果 | 第236-239页 |
| 10.2.2.3 实验结果分析和可行解决方案讨论 | 第239-240页 |
| 10.2.3 小结 | 第240-241页 |
| 10.2.3.1 分析和新解决该类问题方法的总结 | 第240-241页 |
| 10.2.3.2 降低屏蔽罩导致问题风险的措施 | 第241页 |
| 10.3 屏蔽罩对微带线影响的CST仿真分析 | 第241-246页 |
| 10.3.1 屏蔽罩高度影响的分析 | 第241-243页 |
| 10.3.1.1 窄微带线受屏蔽罩高度影响的分析 | 第242页 |
| 10.3.1.2 宽微带线受屏蔽罩高度影响的仿真 | 第242-243页 |
| 10.3.2 屏蔽罩墙与走线距离影响的分析 | 第243-244页 |
| 10.3.3 微带线与屏蔽墙体相干长度影响的分析 | 第244-245页 |
| 10.3.4 分析和结论 | 第245-246页 |
| 10.4 本章小结 | 第246页 |
| 参考文献 | 第246-247页 |
| 第十一章 总结和展望 | 第247-249页 |
| 参考文献 | 第248-249页 |
| 致谢 | 第249-250页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文目录 | 第250页 |
