基于氧化镍薄膜的电阻开关特性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第1章 文献综述 | 第10-36页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·NiO薄膜的性质 | 第11-13页 |
| ·NiO的基本性质 | 第11页 |
| ·NiO的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·NiO薄膜的光电性质 | 第12-13页 |
| ·NiO材料的应用 | 第13-15页 |
| ·电致变色材料 | 第13-14页 |
| ·半导体气敏材料 | 第14页 |
| ·燃料电池电极材料 | 第14页 |
| ·催化材料 | 第14-15页 |
| ·电化学电容器 | 第15页 |
| ·新型非挥发性存储器简介 | 第15-20页 |
| ·磁存储器 | 第16-17页 |
| ·铁电存储器 | 第17-19页 |
| ·相变存储器 | 第19页 |
| ·电阻式存储器 | 第19-20页 |
| ·电阻式存储器材料 | 第20-22页 |
| ·二元金属氧化物 | 第20-21页 |
| ·多元金属氧化物 | 第21-22页 |
| ·有机化合物 | 第22页 |
| ·电阻开关效应机制 | 第22-29页 |
| ·块体主导机制 | 第23-27页 |
| ·界面主导机制 | 第27-29页 |
| ·电流传导机制 | 第29-32页 |
| ·欧姆传导 | 第29-30页 |
| ·肖特基发射 | 第30页 |
| ·普尔-法兰克发射 | 第30-31页 |
| ·空间电荷限制电流 | 第31-32页 |
| ·新型存储器的高密度存储方案与选通复用技术 | 第32-35页 |
| ·高密存储方案 | 第32-33页 |
| ·选通复用技术 | 第33-35页 |
| ·本课题的研究内容及意义 | 第35-36页 |
| 第2章 NiO薄膜的制备与表征 | 第36-46页 |
| ·常用的薄膜制备方法 | 第36-39页 |
| ·激光脉冲沉积 | 第36页 |
| ·分子束外延 | 第36-37页 |
| ·化学气相沉积 | 第37页 |
| ·喷雾热解法 | 第37页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第37-38页 |
| ·电子束蒸发 | 第38页 |
| ·直流磁控溅射 | 第38页 |
| ·射频磁控溅射 | 第38-39页 |
| ·基于NiO电阻开关薄膜的制备 | 第39-42页 |
| ·射频磁控溅射 | 第39-41页 |
| ·真空蒸发 | 第41-42页 |
| ·薄膜特性的表征 | 第42-45页 |
| ·薄膜的晶体结构测试 | 第42-43页 |
| ·薄膜光学性质的测试 | 第43-44页 |
| ·薄膜的电学性能测试 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第3章 硅基NiO电阻开关器件的制备 | 第46-54页 |
| ·NiO陶瓷靶材的制备和研究 | 第46-49页 |
| ·NiO陶瓷靶材的制备 | 第46-48页 |
| ·烧结温度对NiO陶瓷靶材的影响 | 第48-49页 |
| ·NiO薄膜的制备 | 第49-52页 |
| ·薄膜制备的准备工作 | 第49-51页 |
| ·NiO薄膜沉积 | 第51页 |
| ·NiO薄膜的沉积速率 | 第51-52页 |
| ·Cu电极制备 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第4章 硅基NiO电阻开关特性研究 | 第54-68页 |
| ·NiO电阻开关薄膜制备与测量 | 第54-57页 |
| ·靶材对NiO电阻开关特性的影响 | 第57-58页 |
| ·沉积时间对NiO薄膜性能的影响 | 第58-61页 |
| ·沉积时间对结晶性能的影响 | 第58-59页 |
| ·沉积时间对电阻开关特性的影响 | 第59-61页 |
| ·氧流量对NiO薄膜的性能的影响 | 第61-64页 |
| ·氧流量对结晶性能的影响 | 第61-62页 |
| ·氧流量对电阻开关特性的影响 | 第62-64页 |
| ·NiO薄膜漏电流机制的分析 | 第64-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第5章 结论 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 附录 作者在读期间发表的学术论文 | 第75页 |
