基于新型非易失存储器件的存储体系若干关键技术研究
| 摘要 | 第1-11页 |
| Abstract | 第11-13页 |
| 第一章. 绪论 | 第13-20页 |
| ·研究背景及意义 | 第13-14页 |
| ·国内外研究现状 | 第14-18页 |
| ·基于新型非易失存储器件的片上缓存系统 | 第14-15页 |
| ·基于新型非易失存储器件的内存系统 | 第15-17页 |
| ·基于新型非易失存储器件的外存系统 | 第17-18页 |
| ·研究内容及文章结构 | 第18-20页 |
| 第二章 基于三值型STT-RAM的非易失缓存研究 | 第20-52页 |
| ·STT-RAM技术分析 | 第20-23页 |
| ·单值型STT-RAM技术 | 第21-22页 |
| ·多值型STT-RAM技术 | 第22-23页 |
| ·串并混合架构三值型STT-RAM设计 | 第23-38页 |
| ·三值型STT-RAM存储单元结构设计 | 第23-30页 |
| ·三值型STT-RAM存储单元读取逻辑设计 | 第30-33页 |
| ·三值型STT-RAM存储单元写入逻辑设计 | 第33-38页 |
| ·基于串并混合架构三值型STT-RAM的缓存设计 | 第38-46页 |
| ·缓存分级映射方法 | 第38-40页 |
| ·不同级页面交换方法 | 第40-46页 |
| ·仿真实验与结果分析 | 第46-50页 |
| ·仿真实验设计 | 第46-47页 |
| ·仿真结果与分析 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第三章 基于相变存储器的非易失内存研究 | 第52-65页 |
| ·相变存储器技术分析 | 第52-54页 |
| ·相变存储器技术 | 第52-53页 |
| ·双值型相变存储器及其读写机制分析 | 第53-54页 |
| ·基于双值型相变存储器的内存设计方法 | 第54-61页 |
| ·分页映射方法分析 | 第54-56页 |
| ·分页耦合映射方法 | 第56-61页 |
| ·仿真实验与结果分析 | 第61-64页 |
| ·仿真实验设计 | 第61-62页 |
| ·仿真结果与分析 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第四章 基于闪存的固态硬盘研究 | 第65-109页 |
| ·固态硬盘关键技术分析 | 第66-78页 |
| ·闪存存储特性分析 | 第66页 |
| ·闪存转换层算法分析 | 第66-75页 |
| ·固态硬盘寿命分析 | 第75-78页 |
| ·CP-FTL闪存转换层算法设计 | 第78-92页 |
| ·CP-FTL架构设计 | 第78-79页 |
| ·闪存区域划分 | 第79-80页 |
| ·根映射表及其缓存设计 | 第80-82页 |
| ·CP-FTL蒜法工作流程设计 | 第82-86页 |
| ·CP-FTL算法仿真实验与结果分析 | 第86-92页 |
| ·寿命评估方法及其应用研究 | 第92-107页 |
| ·寿命评估方法 | 第92-102页 |
| ·基于容量调整的固态硬盘延寿方法 | 第102-106页 |
| ·寿命到期固态硬盘的再利用方法 | 第106-107页 |
| ·本章小结 | 第107-109页 |
| 第五章 结论与展望 | 第109-111页 |
| ·结论 | 第109页 |
| ·展望 | 第109-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-119页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第119-120页 |
| 专业术语与缩略词汇表 | 第120页 |
