碲锌镉单晶生长与晶体质量研究
| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 1 绪论 | 第12-40页 |
| ·CdZnTe 晶体的用途与研究进展 | 第12-16页 |
| ·CdZnTe 衬底的发展方向 | 第16-18页 |
| ·CdZnTe 单晶生长方法概述 | 第18-22页 |
| ·CdZnTe 单晶生长理论与技术研究进展 | 第22-34页 |
| ·CdZnTe 晶体的缺陷研究进展 | 第34-39页 |
| ·本文的研究目的与主要研究内容 | 第39-40页 |
| 2 CdZnTe 单晶生长与衬底制备技术 | 第40-46页 |
| ·技术路线 | 第40页 |
| ·配料 | 第40页 |
| ·合成 | 第40-41页 |
| ·使用 pBN 坩埚 | 第41页 |
| ·长晶 | 第41-42页 |
| ·切片 | 第42页 |
| ·划片 | 第42-43页 |
| ·去除切割损伤层 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 3 CdZnTe 晶体质量评价技术 | 第46-54页 |
| ·CdZnTe 晶体质量评价方法概述 | 第46-47页 |
| ·可见光拍照技术 | 第47-48页 |
| ·光学显微镜扫描拼图技术 | 第48-49页 |
| ·反射式 X 射线衍射形貌术 | 第49-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 4 采用垂直布里奇曼法生长 CdZnTe 单晶 | 第54-74页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·温场结构设计 | 第54-55页 |
| ·晶体生长过程中加热功率的变化 | 第55-58页 |
| ·温场对称性与坩埚旋转对单晶生长的影响 | 第58-61页 |
| ·晶体尾端面形状与单晶生长工艺的关系 | 第61-62页 |
| ·化学计量比对单晶质量的影响 | 第62-63页 |
| ·坩埚类型对单晶质量的影响 | 第63-66页 |
| ·降温速率对 EPD 的影响 | 第66-70页 |
| ·CdZnTe 衬底制备的最新进展 | 第70-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 5 一种新型无坩埚壁接触式单晶生长方法 | 第74-86页 |
| ·引言 | 第74-76页 |
| ·一种新型无坩埚壁接触式单晶生长方法 | 第76-78页 |
| ·实验 | 第78-79页 |
| ·实验结果 | 第79-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 6 CdZnTe 晶体缺陷研究 | 第86-110页 |
| ·引言 | 第86页 |
| ·孪晶 | 第86-90页 |
| ·层错 | 第90-91页 |
| ·多晶延伸带与花晶 | 第91页 |
| ·小角晶界 | 第91-95页 |
| ·位错 | 第95-96页 |
| ·夹杂 | 第96-101页 |
| ·沉淀 | 第101-103页 |
| ·生长条纹 | 第103-105页 |
| ·均匀结构 | 第105-106页 |
| ·表面划伤 | 第106页 |
| ·雾缺陷 | 第106页 |
| ·抛光表面面形 | 第106-108页 |
| ·衬底质量对 MCT 外延层的影响 | 第108-109页 |
| ·本章小结 | 第109-110页 |
| 7 总结与展望 | 第110-112页 |
| ·总结 | 第110-111页 |
| ·展望 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-126页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第126页 |
