高功率半导体激光器抗COD关键技术研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-9页 |
| 图索引 | 第9-12页 |
| 表索引 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| ·半导体激光器的发展与应用 | 第13-17页 |
| ·COD的产生和抑制方法 | 第17-20页 |
| ·半导体激光器COD研究进展 | 第20-26页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第26-29页 |
| 第二章 表面态及量子阱混杂理论 | 第29-45页 |
| ·表面态来源及对器件的影响分析 | 第29-36页 |
| ·量子阱混杂理论研究 | 第36-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 硫钝化及氮等离子体清洗技术研究 | 第45-65页 |
| ·表面钝化及其效果的评价 | 第45-49页 |
| ·含硫溶液湿法钝化技术研究 | 第49-57页 |
| ·氮等离子体干法清洗技术研究 | 第57-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第四章 Al_xN_y钝化膜及腔面光学膜研究 | 第65-83页 |
| ·氮化铝材料的特性 | 第65-66页 |
| ·Al_xN_y薄膜的制备 | 第66-72页 |
| ·Al_xN_y薄膜的特性研究 | 第72-78页 |
| ·半导体激光器腔面光学膜技术研究 | 第78-82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| 第五章 基于IFVD技术制备激光器非吸收窗口研究 | 第83-103页 |
| ·无杂质空位诱导技术研究 | 第83-98页 |
| ·高温退火对样品掺杂浓度影响的分析 | 第98-99页 |
| ·非吸收窗口激光器的设计与制备 | 第99-102页 |
| ·本章小结 | 第102-103页 |
| 第六章 半导体激光器制备及特性评价 | 第103-111页 |
| ·半导体激光器工艺制备流程 | 第103-105页 |
| ·钝化激光器输出特性测试及分析 | 第105-108页 |
| ·NAW激光器输出特性测试及分析 | 第108-109页 |
| ·本章小结 | 第109-111页 |
| 结论 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113-115页 |
| 参考文献 | 第115-123页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文和申请专利情况 | 第123页 |
