半导体桥火工品静电响应特性及其静电防护研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| ·研究的目的及意义 | 第9页 |
| ·半导体桥火工品的研究进展 | 第9-12页 |
| ·SCB的研究现状 | 第9-10页 |
| ·半导体桥点火性能研究进展 | 第10-12页 |
| ·半导体桥静电放电特性及静电防护研究现状 | 第12-14页 |
| ·静电放电及危害 | 第12页 |
| ·SCB静电放电特性研究现状 | 第12-13页 |
| ·SCB静电防护研究现状 | 第13-14页 |
| ·PSpice软件简介 | 第14-16页 |
| ·PSpice的基本组成 | 第14-15页 |
| ·PSpice电路仿真的基本步骤 | 第15-16页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 2 不同激励方式下半导体桥点火性能对比 | 第17-27页 |
| ·半导体桥点火实验原理及方法 | 第17-19页 |
| ·电压电流曲线的比较 | 第19-22页 |
| ·发火光斑及桥区变化的比较 | 第22-23页 |
| ·压药压力的影响 | 第23-24页 |
| ·药剂影响 | 第24-26页 |
| ·小结 | 第26-27页 |
| 3 半导体桥静电损伤特性研究 | 第27-41页 |
| ·半导体桥静电放电实验原理及方法 | 第27-28页 |
| ·SCB与SCB火工品ESD作用后的差异 | 第28-33页 |
| ·SCB耐受ESD作用劣化前后的差异 | 第33-37页 |
| ·电阻变化 | 第33-35页 |
| ·点火性能的变化 | 第35-37页 |
| ·不同形状SCB耐受ESD作用的差异 | 第37-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 4 半导体桥火工品脚-脚间静电防护研究 | 第41-60页 |
| ·改变半导体桥芯片尺寸大小对静电防护的贡献 | 第41-46页 |
| ·半导体桥临界爆发电压的理论计算 | 第41-43页 |
| ·MSCB与中型桥的比较 | 第43-46页 |
| ·改变半导体桥芯片形状对静电防护的贡献 | 第46-48页 |
| ·电子元器件对SCB火工品脚—脚间静电防护的贡献 | 第48-52页 |
| ·电容抗静电加固 | 第48-50页 |
| ·TVS二极管抗静电加固 | 第50-52页 |
| ·半导体桥脚—脚间静电防护模拟 | 第52-58页 |
| ·搭建测试电路 | 第53-55页 |
| ·半导体桥子电路 | 第55-57页 |
| ·对测试电路进行模拟仿真 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 5 半导体桥火工品脚-壳间静电防护研究 | 第60-64页 |
| ·泄放通道对静电防护的影响 | 第60-61页 |
| ·“堵”防静电方式研究 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 附录 | 第70-73页 |
