GaAs晶体管管芯的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-12页 |
| ·GaAs 晶体管历史及研究意义 | 第9-10页 |
| ·本课题研究现状 | 第10页 |
| ·本文研究的主要内容和结构安排 | 第10-12页 |
| 第2章 微波理论基础 | 第12-31页 |
| ·传输线理论 | 第12-17页 |
| ·传输线的电路模型分析 | 第12-14页 |
| ·微带线和同轴线分析 | 第14-17页 |
| ·微波网络分析 | 第17-19页 |
| ·二端口网络参量 | 第17-18页 |
| ·S/T 参数的定义 | 第18-19页 |
| ·放大器基础 | 第19-22页 |
| ·A 类放大器 | 第20-21页 |
| ·B 类放大器 | 第21页 |
| ·AB 类放大器 | 第21页 |
| ·C 类放大器 | 第21-22页 |
| ·D 类\E 类放大器 | 第22页 |
| ·F 类放大器 | 第22页 |
| ·放大器的性能指标 | 第22-25页 |
| ·工作频率范围 | 第22页 |
| ·功率增益(G) | 第22-23页 |
| ·输出功率 | 第23页 |
| ·放大器的工作效率 | 第23-24页 |
| ·谐波失真 | 第24页 |
| ·噪声系数 | 第24页 |
| ·输入输出驻波比 | 第24页 |
| ·邻近信道功率比 | 第24-25页 |
| ·放大器非线性分析 | 第25-30页 |
| ·非线性失真描述 | 第25-26页 |
| ·AM-AM 特性 | 第26-27页 |
| ·AM-PM 特性 | 第27-29页 |
| ·交调失真 | 第29-30页 |
| ·放大器的稳定性 | 第30-31页 |
| 第3章 晶体管模型分析 | 第31-44页 |
| ·晶体管模型的类型 | 第31-37页 |
| ·基于物理系/电磁学理论的模型 | 第31-32页 |
| ·解析或混合模型 | 第32页 |
| ·以测量结果为基础的模型 | 第32-37页 |
| ·晶体管模型 | 第37-39页 |
| ·BJT 模型 | 第37页 |
| ·MOSFET 模型 | 第37-38页 |
| ·HBT 模型 | 第38页 |
| ·pHEMT 模型 | 第38-39页 |
| ·源牵引和负载牵引数据 | 第39-43页 |
| ·负载牵引数据理论 | 第39-40页 |
| ·负载牵引的测量 | 第40-43页 |
| ·依赖温度的模型 | 第43-44页 |
| 第4章 管芯参数提取及放大器设计 | 第44-60页 |
| ·S 参数测量误差 | 第44-45页 |
| ·校准方法 | 第45-46页 |
| ·校准件尺寸设计 | 第46-50页 |
| ·TRL 校准件实物制作 | 第50-52页 |
| ·腔体盒设计 | 第52-53页 |
| ·偏置电路设计 | 第53-54页 |
| ·管芯小信号测量 | 第54-57页 |
| ·放大器电路仿真设计 | 第57-60页 |
| 第5章 总结与展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 附录 | 第65页 |
