| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| §1-1 突变材料组成半导体量子阱激光器的发展及特点 | 第10-12页 |
| 1-1-1 突变材料组成半导体激光器的发展 | 第10页 |
| 1-1-2 半导体激光器原理 | 第10-11页 |
| 1-1-3 突变材料组成量子阱激光器的发展 | 第11-12页 |
| 1-1-4 突变材料构成大功率半导体激光器的发展现状 | 第12页 |
| §1-2 材料突变构成 VCSELs 的发展现状 | 第12-14页 |
| 1-2-1 VCSELs 的发展现状 | 第12-13页 |
| 1-2-2 多种材料突变构成VCSELs 的特点 | 第13-14页 |
| §1-3 半导体激光器在电器中的应用及相应产品 | 第14-15页 |
| §1-4 有限元法发展、特点及在半导体中的应用 | 第15-18页 |
| 1-4-1 有限元发展的过程 | 第15-16页 |
| 1-4-2 有限元常用方法简介 | 第16-18页 |
| §1-5 有限差分法的发展、特点及在半导体中的应用 | 第18-19页 |
| ·本文的主要工作和安排 | 第19-21页 |
| 第二章 传输矩阵方法对周期多层材料对光限制的研究 | 第21-33页 |
| §2-1 单层和两层突变材料组成的薄膜反射率的分析 | 第21-25页 |
| 2-1-1 使用导纳描述突变材料界面之间光的传输 | 第21-22页 |
| 2-1-2 突变材料构成单层薄膜的传输矩阵模型 | 第22-24页 |
| 2-1-3 突变材料构成两层薄膜中的光传输模型 | 第24-25页 |
| §2-2 多层突变材料组成的薄膜中光波的仿真 | 第25-30页 |
| 2-2-1 多层突变材料组成薄膜中反射率计算理论模型 | 第25-26页 |
| 2-2-2 多层突变材料组成薄膜中光波的传输理论模型 | 第26-27页 |
| 2-2-3 三层减反射膜的反射率和光场的仿真 | 第27-28页 |
| 2-2-4 突变材料组成 DBR 反射膜的仿真 | 第28-30页 |
| §2-3 突变材料组成DBR 对 VCSELs 中光波控制的仿真 | 第30-32页 |
| 2-3-1 VCSELs 传输矩阵模型 | 第30-31页 |
| 2-3-2 VCSELs 中的反射率 | 第31-32页 |
| §2-4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 材料突变组成半导体激光器阵列热沉中的温度分析 | 第33-61页 |
| §3-1 半导体激光器中散热问题综述 | 第33-37页 |
| 3-1-1 大功率半导体激光器的应用 | 第33-34页 |
| 3-1-2 温度升高对大功率半导体激光器的影响 | 第34-37页 |
| §3-2 大功率半导体激光器热沉中的热传导学基本原理 | 第37-40页 |
| 3-2-1 半导体激光器中热传导的基本形式 | 第37-38页 |
| 3-2-3 热量传导中满足的微分方程 | 第38-39页 |
| 3-2-3 大功率半导体激光器热量传导的边界条件 | 第39-40页 |
| §3-3 有限单元法研究半导体激光器散热的数学基础 | 第40-49页 |
| 3-3-1 二维平面导热有限元变分方程 | 第40-42页 |
| 3-3-2 有限单元法分析半导体激光器热沉中单元划分 | 第42-44页 |
| 3-3-3 有限单元法分析半导体激光器热沉中的温度插值函数 | 第44-46页 |
| 3-3-4 有限单元法分析半导体激光器热沉中的温度变分计算 | 第46-49页 |
| §3-4 大功率半导体激光器的结构和有限元方法求解的整体过程 | 第49-52页 |
| 3-4-1 材料突变组成大功率半导体激光器的结构 | 第49-50页 |
| 3-4-2 有限元方法求解激光器热沉中温度分布的整体过程 | 第50-52页 |
| §3-5 有限元仿真大功率半导体激光器阵列矩形热沉中的温度场的结果 | 第52-54页 |
| §3-6 有限元仿真大功率半导体激光器阵列凹形热沉中的温度场 | 第54-57页 |
| §3-7 有限元仿真大功率半导体激光器微孔热沉中的温度场 | 第57-60页 |
| §3-8 本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 材料突变对VCSELs 中电流限制的理论模型 | 第61-74页 |
| §4-1 材料突变构成 VCSELs 的常见结构 | 第61-63页 |
| 4-1-1 质子轰击形成突变限制电流的 VCSELs | 第61页 |
| 4-1-2 单氧化层形成突变层限制 VCSELs | 第61-63页 |
| §4-2 描述材料突变构成 VCSELs 的光电热耦合相关理论 | 第63-71页 |
| 4-2-1 VCSELs 中的电势相关理论 | 第63-65页 |
| 4-2-2 VCSELs 有源区中载流子浓度分布模型 | 第65-69页 |
| 4-2-3 VCSELs 光场分布模型 | 第69-70页 |
| 4-2-4 VCSELs 中热场理论模型 | 第70-71页 |
| §4-3 VCSELs 中电流限制仿真的相关差分方程 | 第71-73页 |
| 4-3-1 电压和电流分布的数值求解 | 第71页 |
| 4-3-2 有源区中载流子浓度分布的数值差分方程 | 第71-72页 |
| 4-3-3 有源区中光场分布的数值差分方程 | 第72页 |
| 4-3-4 热场的有限差分方程 | 第72-73页 |
| §4-4 本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 材料突变对VCSELs 中电流和热场的仿真 | 第74-88页 |
| §5-1VCSELs 光电热耦合自洽计算过程 | 第74-76页 |
| §5-2 电流孔半径为0.6μm 到10μm 的VCSELs | 第76-78页 |
| §5-3 质子轰击突变材料构成VCSELs 阈值的优化设计及I-P 特性 | 第78-82页 |
| §5-4 单氧化突变材料控制 VCSELs 的阈值及I-P 特性 | 第82-85页 |
| §5-5 与文献的比较 | 第85-87页 |
| §5-6仿真材料突变限制VCSELs特性的总结 | 第87-88页 |
| 第六章 结论 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
| 攻读学位期间所取得的有关科研成果 | 第100页 |
