| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 图目录 | 第11-15页 |
| 表目录 | 第15-16页 |
| 注释表 | 第16-17页 |
| 1 绪论 | 第17-39页 |
| ·光子晶体研究介绍 | 第17-29页 |
| ·光子晶体应用 | 第20-23页 |
| ·光子晶体理论分析方法 | 第23-24页 |
| ·光子晶体制备方法 | 第24-26页 |
| ·制备光子晶体常见的材料 | 第26-29页 |
| ·光子晶体功能器件研究进展 | 第29-38页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第38-39页 |
| 2 SOI基光子晶体功能器件制备系统与测试系统 | 第39-60页 |
| ·光子器件制备流程 | 第39-40页 |
| ·光刻曝光系统 | 第40-44页 |
| ·常见的光学曝光方式 | 第41-42页 |
| ·光刻胶 | 第42页 |
| ·曝光掩膜板 | 第42-44页 |
| ·光刻机曝光实验流程 | 第44页 |
| ·电子束曝光系统 | 第44-50页 |
| ·电子束曝光系统介绍 | 第44-48页 |
| ·电子束曝光胶 | 第48页 |
| ·电子束曝光系统制作光子器件的流程 | 第48-50页 |
| ·感应耦合等离子体刻蚀系统 | 第50-54页 |
| ·ICP刻蚀的基本机理 | 第50-51页 |
| ·ICP刻蚀系统各部分介绍 | 第51-52页 |
| ·常见的刻蚀气体 | 第52-53页 |
| ·ICP刻蚀样片流程 | 第53-54页 |
| ·微纳光子器件测试系统 | 第54-57页 |
| ·测试架构介绍 | 第54-56页 |
| ·测试损耗 | 第56-57页 |
| ·端面处理技术 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 3 高精度SOI基光子晶体功能器件制备参数的研究 | 第60-78页 |
| ·光刻曝光参数的优化与研究 | 第60-65页 |
| ·光刻胶厚度控制 | 第60-61页 |
| ·曝光时间对掩膜质量影响 | 第61-63页 |
| ·显影时间影响对掩膜质量影响 | 第63-64页 |
| ·前烘时间与后烘时间研究 | 第64-65页 |
| ·电子束曝光系统参数的优化与研究 | 第65-71页 |
| ·曝光胶厚度控制 | 第65-66页 |
| ·电子束斑对曝光质量影响 | 第66-67页 |
| ·图形失真问题对曝光质量影响 | 第67-68页 |
| ·邻近效应的校正 | 第68-70页 |
| ·显影时间对曝光质量影响 | 第70-71页 |
| ·感应耦合等离子体刻蚀参数的优化与研究 | 第71-77页 |
| ·RF2功率对刻蚀效果影响 | 第71-73页 |
| ·RF1功率对刻蚀效果影响 | 第73-74页 |
| ·腔内压强对刻蚀效果影响 | 第74-75页 |
| ·气体流量对刻蚀效果影响 | 第75页 |
| ·刻蚀参数的选择 | 第75-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 4 SOI基一维光子晶体超窄宽频滤波器的设计与制备 | 第78-99页 |
| ·一维光子晶体滤波器的发展与不足 | 第78-80页 |
| ·一维光子晶体超窄宽频滤波器的设计 | 第80-92页 |
| ·三个不同厚度一维光子晶体异质结构拼接的光子晶体滤波器 | 第80-85页 |
| ·二个不同厚度一维光子晶体叠加一个异质结构的光子晶体滤波器 | 第85-88页 |
| ·四个不同厚度一维光子晶体拼接的光子晶体滤波器 | 第88-90页 |
| ·三种设计模型结果分析 | 第90-92页 |
| ·一维光子晶体超窄宽频滤波器的制备与测试 | 第92-98页 |
| ·一维光子晶体滤波器的制备 | 第93-95页 |
| ·一维光子晶体滤波器的测试与分析 | 第95-98页 |
| ·本章小结 | 第98-99页 |
| 5 SOI基二维光子晶体能量耦合器与分束器的设计与制备 | 第99-124页 |
| ·二维光子晶体波导能带与波导模频率分析 | 第99-101页 |
| ·二维光子晶体波导修饰面的作用机理 | 第101-102页 |
| ·高效率SOI基二维光子晶体能量耦合器的设计与制备 | 第102-113页 |
| ·二维光子晶体波导能量耦合器的设计 | 第102-110页 |
| ·不同晶格类型孔状光子晶体波导能量耦合器的制备与测试 | 第110-113页 |
| ·角度可控SOI基二维光子晶体能量分束器的设计与制备 | 第113-123页 |
| ·二维光子晶体角度可控能量分束器的设计 | 第114-119页 |
| ·褶皱出射面的二维光子晶体能量分束器的制备与测试 | 第119-123页 |
| ·本章小结 | 第123-124页 |
| 6 结论与展望 | 第124-126页 |
| ·结论 | 第124-125页 |
| ·展望 | 第125-126页 |
| 致谢 | 第126-128页 |
| 参考文献 | 第128-144页 |
| 附录 | 第144-146页 |
