| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| ·有机电子学简介 | 第12-14页 |
| ·有机半导体的基本特性 | 第14-15页 |
| ·有机半导体的应用 | 第15-19页 |
| ·有机电致发光二极管 | 第15-17页 |
| ·有机场效应晶体管 | 第17-18页 |
| ·有机太阳能电池 | 第18页 |
| ·有机传感器、存储器和激光器 | 第18-19页 |
| ·有机半导体电荷输运问题 | 第19-20页 |
| ·本论文的结构及主要内容 | 第20-22页 |
| 第二章 有机半导体电荷输运基本理论 | 第22-38页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·固体材料载流子输运基本模式 | 第22-23页 |
| ·能带型输运 | 第22-23页 |
| ·跳跃型输运 | 第23页 |
| ·有机半导体载流子输运微观理论 | 第23-25页 |
| ·Miller-Abrahams 模型 | 第24页 |
| ·极化子模型 | 第24-25页 |
| ·有机半导体载流子迁移率基本理论 | 第25-27页 |
| ·迁移率与温度的关系 | 第25-26页 |
| ·迁移率与场强的关系 | 第26-27页 |
| ·迁移率与载流子浓度的关系 | 第27页 |
| ·高斯态密度 | 第27-31页 |
| ·高斯无序模型 | 第28-29页 |
| ·相关无序模型 | 第29页 |
| ·扩展高斯无序模型 | 第29-30页 |
| ·扩展相关无序模型 | 第30-31页 |
| ·指数态密度 | 第31-33页 |
| ·有机电子器件伏安关系基本模式 | 第33-37页 |
| ·注入限制电流 | 第33-35页 |
| ·空间电荷限制电流 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 有机电子器件电荷输运数值计算方法及应用 | 第38-56页 |
| ·引言 | 第38-39页 |
| ·载流子迁移率模型 | 第39-42页 |
| ·数值计算方法 | 第42-44页 |
| ·均匀离散化方法 | 第42-43页 |
| ·非均匀离散化方法 | 第43-44页 |
| ·应用于有机电子器件 | 第44-55页 |
| ·应用于基于 MEH-PPV 的器件 | 第45-50页 |
| ·应用于基于 P3HT 的器件 | 第50-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 基于两种温度依赖关系的统一载流子迁移率模型 | 第56-82页 |
| ·引言 | 第56-58页 |
| ·理论和模型 | 第58-68页 |
| ·EGDM 的引入方法 | 第58-62页 |
| ·关于两种温度依赖关系 | 第62-63页 |
| ·基于两种温度依赖关系的迁移率模型 | 第63-68页 |
| ·应用于基于 NRS-PPV 和 OC1C10-PPV 的空穴型器件 | 第68-76页 |
| ·与 EGDM 在实际应用中的比较 | 第76-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 第五章 改进迁移率模型的实验验证及应用范围 | 第82-96页 |
| ·引言 | 第82页 |
| ·应用于基于有机小分子的器件 | 第82-86页 |
| ·应用于基于 PFO 的器件 | 第86-91页 |
| ·应用于基于 P3HT 的器件 | 第91-93页 |
| ·改进迁移率模型与传统模型的比较 | 第93-95页 |
| ·与 Poole-Frenkel 型迁移率模型比较 | 第93-94页 |
| ·与 EGDM 比较 | 第94-95页 |
| ·本章小结 | 第95-96页 |
| 第六章 总结与展望 | 第96-99页 |
| ·总结 | 第96-98页 |
| ·展望 | 第98-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-113页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第113-115页 |
