基于分子动力学的硅纳米线拉伸模拟
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| ·纳米材料概述 | 第10-11页 |
| ·纳米线概述 | 第11-12页 |
| ·纳米线研究现状 | 第12-14页 |
| ·实验研究方法介绍 | 第12-13页 |
| ·计算机模拟研究现状 | 第13-14页 |
| ·本文研究目的及内容 | 第14-16页 |
| 第2章 分子动力学理论概述 | 第16-28页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·分子动力学方程的描述 | 第16-17页 |
| ·分子动力学方程的求解 | 第17-21页 |
| ·初始条件和边界条件 | 第17-19页 |
| ·分子动力学方程的算法及步长 | 第19-21页 |
| ·分子动力学几个相关概念 | 第21-27页 |
| ·势函数 | 第21-24页 |
| ·系综、温度的控制和应力应变的计算 | 第24-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 硅纳米线的分子动力学拉伸模拟 | 第28-36页 |
| ·硅纳米线的拉伸模拟 | 第28-30页 |
| ·模型建立 | 第28页 |
| ·计算结果及分析 | 第28-30页 |
| ·缺陷对硅纳米线的影响 | 第30-32页 |
| ·模型的建立 | 第30页 |
| ·计算结果及分析 | 第30-32页 |
| ·硅纳米线横截面尺寸的影响 | 第32-34页 |
| ·模型的建立 | 第32页 |
| ·拉伸模拟及分析 | 第32-34页 |
| ·不同长度硅纳米线的模拟 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 温度和应变率对硅纳米线性能的影响 | 第36-42页 |
| ·温度对硅纳米线的影响 | 第36-39页 |
| ·模型的建立 | 第36页 |
| ·计算结果及分析 | 第36-39页 |
| ·应变率的影响 | 第39-41页 |
| ·模型的建立 | 第39页 |
| ·计算结果及分析 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第5章 不同缺陷尺寸对硅纳米线力学性能的影响 | 第42-59页 |
| ·纳米线缺陷长度及位置的影响 | 第42-50页 |
| ·模型建立及计算 | 第42-43页 |
| ·a 位置缺陷结果及分析 | 第43-47页 |
| ·b 位置缺陷结果及分析 | 第47-50页 |
| ·纳米线截面缺陷尺寸的影响 | 第50-58页 |
| ·模型的建立 | 第50-51页 |
| ·空心截面纳米线的拉伸分析 | 第51-54页 |
| ·不同缺陷截面尺寸的影响 | 第54-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 总结与展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第66页 |
