| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 1 绪论 | 第6-14页 |
| ·Si/SiC异质结简介 | 第6-9页 |
| ·Si/SiC异质结的研究现状 | 第9-13页 |
| ·本论文的研究目的、内容、创新点 | 第13-14页 |
| 2 LPCVD设备、工艺与生长机理分析 | 第14-19页 |
| ·热壁LPCVD生长设备 | 第14-16页 |
| ·在SiC衬底上异质外延Si薄膜的工艺流程 | 第16-19页 |
| 3 p-Si/n-SiC异质结制备与特性表征 | 第19-27页 |
| ·p-Si/n-SiC异质结的特性表征及工艺参数对Si外延层的影响 | 第19-22页 |
| ·外延层掺杂浓度控制 | 第22-27页 |
| 4 异质结欧姆电极制作 | 第27-32页 |
| ·欧姆电极制作方法及工艺 | 第27-28页 |
| ·SiC衬底上电极制备及其接触特性 | 第28-30页 |
| ·Si外延层上电极制备及其接触特性 | 第30-32页 |
| 5 p-Si/n-SiC异质结光电二极管光电特性测试 | 第32-39页 |
| ·p-Si/n-SiC异质结光电特性的测试方法 | 第32页 |
| ·不同掺杂浓度下Si/SiC异质结光生电流的测试结果及分析 | 第32-37页 |
| ·工艺改进后的Si/SiC异质结光生电流 | 第37-39页 |
| 6 结论 | 第39-40页 |
| 致谢 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
