| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-12页 |
| ·γ谱分析技术概况 | 第8-9页 |
| ·研究γ谱分析技术的意义 | 第8页 |
| ·国内外γ谱分析技术的进展 | 第8-9页 |
| ·本文研究背景 | 第9-11页 |
| ·本文研究的主要工作 | 第11页 |
| ·小结 | 第11-12页 |
| 第二章 蒙特卡罗方法概述 | 第12-21页 |
| ·蒙特卡罗方法的发展历史 | 第12-13页 |
| ·蒙特卡罗方法的基本思想 | 第13页 |
| ·蒙特卡罗方法的解题思路 | 第13-15页 |
| ·蒙特卡罗方法的收敛性及误差估计 | 第15-16页 |
| ·粒子输运问题的蒙卡计算 | 第16-19页 |
| ·粒子输运与马尔科夫过程 | 第16-17页 |
| ·粒子输运中的主要问题 | 第17-18页 |
| ·蒙特卡罗方法的几何能力和截面能力 | 第18-19页 |
| ·MCNP程序简介 | 第19-20页 |
| ·小结 | 第20-21页 |
| 第三章 HPGeγ谱仪探测效率与体源密度和射线能量的关系 | 第21-34页 |
| ·蒙特卡罗对体源探测效率的计算 | 第22-24页 |
| ·模拟的物理模型 | 第22-23页 |
| ·样品的组成 | 第23-24页 |
| ·探测效率与样品成分的关系 | 第24-27页 |
| ·探测效率与体源密度、γ射线能量的关系 | 第27-33页 |
| ·最小二乘法原理 | 第27-29页 |
| ·探测效率与密度、能量的关系 | 第29-31页 |
| ·拟合公式的选取及验证 | 第31-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 第四章 HPGeγ探测器点源响应函数的计算 | 第34-43页 |
| ·γ响应函数谱的组成 | 第35-37页 |
| ·点源高度对响应函数的影响 | 第37-40页 |
| ·HPGe晶体尺寸对点源响应函数的影响 | 第40-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第五章 NaI(Tl)及HPGeγ响应函数高斯展宽的研究 | 第43-63页 |
| ·脉冲幅度分辨率的统计性 | 第43-48页 |
| ·NaI(Tl)γ谱仪脉冲幅度分辨率 | 第44-46页 |
| ·影响HPGeγ谱仪能量分辨率的主要因素 | 第46-48页 |
| ·蒙卡程序对点源无高斯展宽响应函数的计算 | 第48-50页 |
| ·响应函数的高斯展宽 | 第50-55页 |
| ·实验确定半高宽(FWHM)与能量的关系 | 第50-51页 |
| ·MCNP4B高斯展宽方法 | 第51-53页 |
| ·解析法高斯展宽 | 第53-55页 |
| ·MCNP4B高斯展宽与解析法高斯展宽结果的比较 | 第55-57页 |
| ·响应函数的次级电子能量损失修正 | 第57-58页 |
| ·蒙卡计算结果与实验结果比较 | 第58-60页 |
| ·建立点源无高斯展宽的响应函数库文件 | 第60-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 第六章 总结 | 第63-66页 |
| ·主要研究结果 | 第63-64页 |
| ·有待继续解决的问题 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第69页 |
| 致谢 | 第69页 |
| 声明 | 第69页 |