| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-34页 |
| ·引言 | 第12-14页 |
| ·GAN 纳米结构的特性以及缺陷 | 第14-25页 |
| ·GaN 材料的性质及实验上的纳米线结构 | 第14-18页 |
| ·GaN 天然缺陷 | 第18-25页 |
| ·储氢技术 | 第25-34页 |
| ·储氢材料的研究意义 | 第25-26页 |
| ·储氢材料的研究现状 | 第26-34页 |
| 第二章 基础理论和计算方法 | 第34-51页 |
| ·单电子近似理论 | 第34-37页 |
| ·绝热近似 | 第35-36页 |
| ·Hartree-Fock 近似 | 第36-37页 |
| ·密度泛函理论 | 第37-46页 |
| ·Hobenberg-Kohn 定理 | 第38-41页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第41-42页 |
| ·局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA) | 第42-46页 |
| ·平面波基组和赝势方法 | 第46-48页 |
| ·平面波基组 | 第46-47页 |
| ·模守恒赝势 | 第47-48页 |
| ·超软赝势 | 第48页 |
| ·K 点取样 | 第48-49页 |
| ·VASP 软件模拟方法 | 第49-51页 |
| 第三章 空位在氮化镓体系诱发磁性 | 第51-72页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·空位在纤锌矿氮化镓块体诱发磁性 | 第51-57页 |
| ·原理及计算方法 | 第51-52页 |
| ·结果与讨论 | 第52-57页 |
| ·空位在氮化镓薄膜中诱发磁性 | 第57-62页 |
| ·计算方法和模型建立 | 第57-58页 |
| ·结果与讨论 | 第58-62页 |
| ·空位在氮化镓纳米线中诱发磁性 | 第62-70页 |
| ·计算方法和模型建立 | 第62-63页 |
| ·结果与讨论 | 第63-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 第四章 ALN 纳米管吸附H 原子和H_2分子的研究 | 第72-86页 |
| ·引言 | 第72页 |
| ·计算方法和模型建立 | 第72-73页 |
| ·锯齿型(8, 0)和扶手椅型(5, 5)ALN 纳米管吸附单个H 原子 | 第73-78页 |
| ·锯齿型(8, 0)和扶手椅型(5, 5)ALN 纳米管吸附高覆盖率H 原子 | 第78-81页 |
| ·锯齿型(8, 0)和扶手椅型(5, 5)ALN 纳米管吸附H_2 分子 | 第81-84页 |
| ·本章小结 | 第84-86页 |
| 第五章 SI 表面吸附MN 原子和N84团簇的研究 | 第86-100页 |
| ·引言 | 第86-87页 |
| ·计算方法和模型建立 | 第87页 |
| ·结果和讨论 | 第87-94页 |
| ·计算方法和模型建立 | 第94页 |
| ·结果和讨论 | 第94-99页 |
| ·结构分析 | 第94-99页 |
| ·电子结构 | 第99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 总结 | 第100-103页 |
| 参考文献 | 第103-113页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第113-114页 |
| 致谢 | 第114-115页 |
