| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第1章 引言 | 第11-20页 |
| ·暗物质与WIMP | 第11-12页 |
| ·反冲核抑制因子问题的提出 | 第12-17页 |
| ·反冲核抑制因子的重要性 | 第12-14页 |
| ·反冲抑制因子的计算 | 第14-17页 |
| ·本文研究内容 | 第17-18页 |
| ·本文章节安排 | 第18-20页 |
| 第2章 实验数据获取系统 | 第20-36页 |
| ·VME 总线控制器MVME5100 | 第20-22页 |
| ·DAQ 系统要求 | 第20页 |
| ·选择VME 总线控制器MVME5100 | 第20-22页 |
| ·嵌入式实时操作系统VXWORKS | 第22-25页 |
| ·在MVME5100 上运行VXWORKS | 第25-31页 |
| ·MVME5100 BSP 修改 | 第25-26页 |
| ·BOOTROM 的制作和下载 | 第26-28页 |
| ·DOWNLOADABLE IMAGE 的制作 | 第28-29页 |
| ·启动VXWORKS | 第29-31页 |
| ·测试MVME5100 的读出能力 | 第31-35页 |
| ·VME-PCI 地址映射 | 第31-32页 |
| ·测试系统平台 | 第32页 |
| ·性能测试 | 第32-35页 |
| ·DAQ 系统解决方案的确立 | 第35-36页 |
| 第3章 反冲核抑制因子测量实验与数据获取 | 第36-50页 |
| ·中子束产生部分 | 第36-40页 |
| ·~1H(~7Li, n)~7Be反应中子的产生 | 第38页 |
| ·~1H(~7Li, n)~7Be反应中子的测量 | 第38-40页 |
| ·探测器部分 | 第40-42页 |
| ·高纯锗探测器 | 第40-41页 |
| ·中子探测器 | 第41-42页 |
| ·中子束产生部分和探测器部分的连接 | 第42页 |
| ·信号处理电子学部分 | 第42-44页 |
| ·数据获取部分（DAQ） | 第44-47页 |
| ·信号电子学处理部分与DAQ 部分的连接 | 第47-49页 |
| ·实验系统运行情况 | 第49-50页 |
| 第4章 实验数据分析 | 第50-62页 |
| ·数据分析ROOT 简介 | 第50-51页 |
| ·实验系统能量刻度 | 第51-53页 |
| ·实验数据分析 | 第53-62页 |
| ·大角度散射中子事件数据分析 | 第54-58页 |
| ·小角度散射中子事件数据分析 | 第58-60页 |
| ·结论 | 第60-62页 |
| 第5章 极低能量区间反冲核抑制因子实验方案 | 第62-66页 |
| ·降低入射中子能量 | 第62-63页 |
| ·超低阈值高纯锗探测器(ULE-HPGE DETECTOR) | 第63页 |
| ·前放和主放 | 第63-64页 |
| ·中子探测器 | 第64-65页 |
| ·电子学和DAQ 部分 | 第65-66页 |
| 第6章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第71页 |