| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 综述 | 第10-54页 |
| ·纳米材料的表面修饰 | 第11-17页 |
| ·常规化学方法修饰 | 第11-15页 |
| ·电化学方法修饰 | 第15-16页 |
| ·光化学方法修饰 | 第16-17页 |
| ·基于表面修饰的光化学传感器 | 第17-35页 |
| ·基于纳米颗粒的光化学传感器 | 第17-25页 |
| ·基于三维孔材料的光化学传感器 | 第25-29页 |
| ·基于玻璃表面修饰的光化学传感器 | 第29-33页 |
| ·基于其他材料表面修饰的光化学传感器 | 第33-35页 |
| ·基于一维纳米材料的化学传感器 | 第35-42页 |
| ·基于一维纳米材料电化学传感器 | 第35-40页 |
| ·基于一维纳米材料光化学传感器 | 第40-42页 |
| ·提出课题 | 第42-43页 |
| ·参考文献 | 第43-54页 |
| 第二章 基于硅纳米线的荧光pH 传感器 | 第54-71页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·化学气相沉积法制备硅纳米线 | 第54-57页 |
| ·实验试剂和仪器 | 第54-56页 |
| ·结果表征 | 第56-57页 |
| ·化学刻蚀法制备硅纳米线 | 第57-59页 |
| ·实验方法 | 第57页 |
| ·结果表征 | 第57-59页 |
| ·硅纳米线的表面修饰 | 第59-60页 |
| ·化合物1(DiAn)的合成 | 第59页 |
| ·硅纳米线的修饰 | 第59-60页 |
| ·硅纳米线的传感性质 | 第60-65页 |
| ·DiAn 修饰硅纳米线(化学气相沉积法)的传感性质 | 第60-64页 |
| ·DiAn 修饰硅纳米线(化学刻蚀法)的传感性质 | 第64-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| ·参考文献 | 第66-71页 |
| 第三章 基于硅纳米线的荧光化学INH 逻辑开关 | 第71-90页 |
| ·引言 | 第71-72页 |
| ·实验 | 第72-73页 |
| ·仪器与试剂 | 第72页 |
| ·硅纳米线表面修饰 | 第72-73页 |
| ·结果与讨论 | 第73-84页 |
| ·表面修饰性质表征 | 第73-74页 |
| ·丹磺酰胺的传感性质 | 第74-79页 |
| ·丹磺酰胺修饰硅纳米线的传感性质 | 第79-82页 |
| ·开关功能测试 | 第82-84页 |
| ·小结 | 第84-85页 |
| ·参考文献 | 第85-90页 |
| 第四章 基于硅纳米线的铜离子荧光化学传感器 | 第90-118页 |
| ·引言 | 第90-91页 |
| ·实验 | 第91-93页 |
| ·仪器与试剂 | 第91页 |
| ·硅纳米线表面修饰 | 第91-93页 |
| ·结果与讨论 | 第93-108页 |
| ·修饰硅纳米线的性质表征 | 第93-94页 |
| ·硅纳米线上修饰物浓度的计算 | 第94-95页 |
| ·修饰前后的光谱变化 | 第95-96页 |
| ·分子单体对金属离子的响应 | 第96-101页 |
| ·修饰的硅纳米线对金属离子的响应 | 第101-108页 |
| ·小结 | 第108-109页 |
| ·参考文献 | 第109-118页 |
| 第五章 结论及展望 | 第118-120页 |
| 发表文章 | 第120-121页 |
| 致谢 | 第121-122页 |