| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-47页 |
| §1.1 SiC的结构、性质、器件和应用 | 第14-27页 |
| ·SiC的晶体结构和多型性 | 第14-18页 |
| ·SiC半导体的同质异构结构 | 第18-20页 |
| ·SiC半导体的性质及参数 | 第20-25页 |
| ·SiC的器件及应用 | 第25-27页 |
| §1.2 SiC半导体的发展进程和面临的挑战 | 第27-33页 |
| ·SiC半导体的发现及早期研究 | 第27-28页 |
| ·SiC半导体的迅速发展和近期研究 | 第28-31页 |
| ·SiC半导体研究与应用所面临的挑战 | 第31-33页 |
| §1.3 SiC薄膜生长研究 | 第33-42页 |
| ·研究SiC薄膜生长的必要性 | 第33-34页 |
| ·SiC薄膜的制备方法 | 第34-39页 |
| ·SiC薄膜生长研究进展 | 第39-42页 |
| §1.4 本论文的选题 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-47页 |
| 第二章 分子束外延技术及设备 | 第47-73页 |
| §2.1 分子束外延技术基本原理 | 第47-61页 |
| ·分子束外延简介 | 第47-48页 |
| ·分子束外延的超高真空环境 | 第48-51页 |
| ·分子束外延的物理过程 | 第51-61页 |
| §2.2 反射高能电子衍射(RHEED) | 第61-65页 |
| ·RHEED简介 | 第61-62页 |
| ·RHEED的探测深度 | 第62-63页 |
| ·RHEED原理及应用 | 第63-65页 |
| §2.3 SSMBE设备及关键部件的研制 | 第65-70页 |
| ·SSMBE的设备简介 | 第65-67页 |
| ·高温样品架 | 第67-70页 |
| §2.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
| 第三章 SiC/Si异质外延 | 第73-113页 |
| §3.1 SiC单晶薄膜晶型的判断及外延取向关系 | 第74-77页 |
| ·样品的制备与实验过程 | 第74-75页 |
| ·实验结果与讨论 | 第75-77页 |
| §3.2 SiC/Si异质外延条件的优化 | 第77-92页 |
| ·碳化及碳化温度对SiC/Si异质外延的影响 | 第77-80页 |
| ·生长温度对SiC/Si异质外延的影响 | 第80-86页 |
| ·Si/C束流比对SiC/Si异质外延的影响 | 第86-90页 |
| ·蒸发速率对SiC/Si异质外延的影响 | 第90-92页 |
| §3.3 Si衬底上6H-SiC的异质外延 | 第92-95页 |
| ·引言 | 第92-93页 |
| ·实验结果及讨论 | 第93-94页 |
| ·小结 | 第94-95页 |
| §3.4 以C_(60)作源生长SiC的过程研究 | 第95-101页 |
| ·RHEED研究C_(60)在Si表面反应形成SiC | 第95-97页 |
| ·PES研究C_(60)在Si表面反应形成SiC | 第97-101页 |
| ·小结 | 第101页 |
| §3.5 SiC/Si异质外延的同步辐射研究 | 第101-108页 |
| ·SiC/Si异质外延的X射线掠入射衍射研究 | 第101-107页 |
| ·SiC/Si的低温光致发光研究 | 第107-108页 |
| §3.6 本章小结 | 第108-111页 |
| 参考文献 | 第111-113页 |
| 第四章 6H-SiC(0001)衬底的同质外延及量子阱结构 | 第113-131页 |
| §4.1 6H-SiC(0001)面的重构及重构的获取 | 第114-118页 |
| ·6H-SiC(0001)面的一些重要重构 | 第114-116页 |
| ·本实验获取重构表面的方法 | 第116-118页 |
| §4.2 Si/C比对生长模式和薄膜晶型的影响及同质异构结构的生长 | 第118-122页 |
| ·Si/C比对生长模式和薄膜晶型的影响 | 第118-121页 |
| ·同质异构量子阱结构薄膜的形貌 | 第121-122页 |
| ·小结 | 第122页 |
| §4.3 同质异构结构外延膜的X射线衍射研究 | 第122-126页 |
| ·常规X射线衍射研究 | 第123页 |
| ·同步辐射X射线掠入射衍射研究 | 第123-125页 |
| ·小结 | 第125-126页 |
| §4.4 同质异构结构外延膜的发光特性 | 第126-129页 |
| §4.5 本章小结 | 第129-131页 |
| 参考文献 | 第131-132页 |
| 发表论文 | 第132-133页 |
| 致谢 | 第133页 |
