Ka波段宽带单片低噪声放大器的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 1 绪论 | 第7-11页 |
| ·Ka 波段低噪声放大器 | 第7页 |
| ·本研究课题的国内外现状 | 第7-9页 |
| ·本论文的研究内容 | 第9-10页 |
| ·本篇论文的框架结构 | 第10-11页 |
| 2 MMIC器件及其模型 | 第11-27页 |
| ·晶体管的选择 | 第11-14页 |
| ·GaAs MESFET MMIC | 第12页 |
| ·GaAs HEMT MMIC | 第12-13页 |
| ·GaAs HBT MMIC | 第13页 |
| ·三种 GaAs 器件性能比较分析 | 第13-14页 |
| ·HEMT 的结构和工作原理 | 第14-16页 |
| ·HEMT 等效电路模型 | 第16-21页 |
| ·HEMT 小信号等效电路模型 | 第16-19页 |
| ·HEMT 非线性模型 | 第19页 |
| ·HEMT 噪声模型 | 第19-21页 |
| ·HEMT 管芯性能分析 | 第21-23页 |
| ·MMIC 无源器件 | 第23-26页 |
| ·小结 | 第26-27页 |
| 3 宽带低噪声放大芯片设计理论 | 第27-43页 |
| ·二端口网络理论 | 第27-29页 |
| ·稳定性 | 第29-34页 |
| ·稳定判别圆 | 第29-31页 |
| ·绝对稳定条件 | 第31页 |
| ·HEMT 管芯稳定性分析 | 第31-34页 |
| ·功率增益 | 第34-36页 |
| ·噪声系数和等噪声系数圆 | 第36-39页 |
| ·宽带放大器其它重要的技术指标 | 第39-42页 |
| ·端口驻波比 | 第39-40页 |
| ·三阶交调系数与 1dB 压缩点 | 第40-41页 |
| ·工作频带及带宽 | 第41-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 4 宽带低噪声放大器电路设计 | 第43-63页 |
| ·传统宽带放大器设计方法 | 第43-49页 |
| ·平衡式放大器 | 第43-44页 |
| ·反馈式放大器 | 第44-45页 |
| ·行波式放大器 | 第45-46页 |
| ·有损匹配放大器 | 第46-47页 |
| ·有源匹配式放大器 | 第47-48页 |
| ·传统宽带放大器分析比较 | 第48-49页 |
| ·总体电路结构 | 第49-50页 |
| ·偏置稳定电路的设计 | 第50-52页 |
| ·匹配电路的设计 | 第52-54页 |
| ·匹配网络的基本形式 | 第52-53页 |
| ·微带电路拓扑结构的选择原则 | 第53-54页 |
| ·电路设计仿真 | 第54-59页 |
| ·整体电路及其性能 | 第59-61页 |
| ·版图 | 第61页 |
| ·小结 | 第61-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
