透明导电半导体氧化物纳米线的制备、结构表征及发光性能研究
| 第一章 绪论 | 第1-27页 |
| ·纳米材料的发展历史 | 第13页 |
| ·纳米材料及纳米科技的现状 | 第13-14页 |
| ·纳米材料相关概念 | 第14-15页 |
| ·纳米材料定义 | 第14页 |
| ·纳米材料分类 | 第14-15页 |
| ·纳米结构定义 | 第15页 |
| ·纳米材料的基本特性 | 第15-18页 |
| ·量子尺寸效应 | 第15-16页 |
| ·表面与界面效应 | 第16-17页 |
| ·小尺寸效应 | 第17页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第17页 |
| ·介电限域效应 | 第17-18页 |
| ·纳米材料制备的方法 | 第18-19页 |
| ·纳米材料的物理制备 | 第18-19页 |
| ·纳米材料的化学制备 | 第19页 |
| ·纳米半导体材料的研究现状 | 第19-25页 |
| ·半导体材料简介 | 第19-20页 |
| ·纳米半导体材料特性 | 第20-21页 |
| ·纳米半导体材料的合成方法 | 第21-24页 |
| ·半导体材料的表征方法 | 第24-25页 |
| ·纳米学科领域的拓展 | 第25-26页 |
| ·论文的选题背景与研究内容 | 第26-27页 |
| 第二章 实验装置、实验原理与表征方法 | 第27-30页 |
| ·实验装置简介 | 第27-28页 |
| ·实验设备 | 第27页 |
| ·实验装置示意图 | 第27-28页 |
| ·实验原理 | 第28页 |
| ·实验操作规程 | 第28-30页 |
| 第三章 ITO纳米线的生长机理及其发光特性 | 第30-37页 |
| ·引言 | 第30-31页 |
| ·实验过程 | 第31-32页 |
| ·样品制备 | 第31页 |
| ·样品的表征 | 第31-32页 |
| ·实验结果与讨论 | 第32-36页 |
| ·ITO纳米结构的表征 | 第32-33页 |
| ·ITO纳米线生长机制的研究 | 第33-34页 |
| ·ITO纳米线的光致发光性能 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 锡酸锌纳米线的制备、结构表征及性能研究 | 第37-49页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·实验过程 | 第38页 |
| ·样品制备 | 第38页 |
| ·样品的表征测试 | 第38页 |
| ·实验结果与讨论 | 第38-45页 |
| ·Zn_2SnO_4纳米线的结构表征 | 第38-42页 |
| ·Zn_2SnO_4纳米线的生长机制 | 第42页 |
| ·实验条件对实验结果的影响 | 第42-45页 |
| ·Zn_2SnO_4纳米线的光致发光特性 | 第45-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 掺锡氧化镓纳米结构的表征及研究 | 第49-57页 |
| ·前言 | 第49页 |
| ·实验过程 | 第49-50页 |
| ·样品制备 | 第49-50页 |
| ·样品表征分析 | 第50页 |
| ·实验结果讨论 | 第50-54页 |
| ·Sn掺杂的Ga_2O_3纳米结构的生长机制 | 第54页 |
| ·掺Sn的Ga_2O_3材料的发光特性 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 全文总结 | 第57-58页 |
| 前景展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第64页 |
