| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| §1.1 引言 | 第9-10页 |
| §1.2 SiC的结构和物理性质 | 第10-13页 |
| §1.3 SiC作为宽禁带半导体的优势 | 第13-15页 |
| §1.4 国外SiC材料及器件的研究概况 | 第15-18页 |
| §1.5 国内SiC材料及器件的研究概况 | 第18页 |
| §1.6 本论文的主要工作及其意义 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-20页 |
| 第二章 SiC基器件制备基础 | 第20-36页 |
| §2.1 SiO_2上生长3C-SiC薄膜 | 第20-24页 |
| §2.2 SiC欧姆接触的研究 | 第24-27页 |
| §2.2.1 传输线法原理 | 第24-26页 |
| §2.2.2 4H-SiC和3C-SiC欧姆接触实验及结果 | 第26-27页 |
| §2.3 SiC ICP刻蚀的研究 | 第27-34页 |
| §2.3.1 等离子刻蚀技术的物理机理 | 第27-29页 |
| §2.3.2 SiC ICP刻蚀的研究 | 第29-34页 |
| 本章小结 | 第34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第三章 SiC基MESFET的制备及测试 | 第36-44页 |
| §3.1 4H-SiC材料的特性 | 第36-37页 |
| §3.2 4H-SiC MESFET的制备 | 第37-41页 |
| §3.3 4H-SiC MESFET的测试结果 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第四章 SiC谐振器的研究 | 第44-55页 |
| §4.1 机械式谐振器原理 | 第45-47页 |
| §4.2 制备谐振器的基础实验 | 第47-50页 |
| §4.3 SiC谐振器制备工艺流程 | 第50-51页 |
| §4.4 谐振器测试 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第五章 总结 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57页 |