| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1．1 课题背景 | 第9-11页 |
| 1．2 硅片表面清洗现状 | 第11-16页 |
| 1．2．1 美国RCA清洗法 | 第11-13页 |
| 1．2．2 机械刷片法 | 第13-14页 |
| 1．2．3 超声波清洗 | 第14-15页 |
| 1．2．4 兆声波清洗 | 第15-16页 |
| 1．2．5 其它清洗新方法 | 第16页 |
| 1．3 激光清洗的发展及研究现状 | 第16-17页 |
| 1．4 论文工作 | 第17-19页 |
| 2 硅片表面分析及激光清洗模型建立 | 第19-34页 |
| 2．1 硅片表面状态与沾污类型 | 第19-21页 |
| 2．1．1 硅片表面状态 | 第19-20页 |
| 2．1．2 硅片表面沾污类型 | 第20-21页 |
| 2．2 颗粒沾污与硅片粘附力形式 | 第21-24页 |
| 2．2．1 Al_2O_3和 CeO_2颗粒与硅片表面的粘附 | 第21-22页 |
| 2．2．2 颗粒沾污与硅片粘附力形式 | 第22-24页 |
| 2．3 硅片表面激光干法清洗模型的建立 | 第24-27页 |
| 2．3．1 激光干法清洗的几何模型 | 第24-25页 |
| 2．3．2 激光干法清洗中颗粒去除模型 | 第25-27页 |
| 2．4 热传导模型的建立及硅片表面温度场的模拟 | 第27-30页 |
| 2．4．1 热传导计算模型的建立 | 第27-28页 |
| 2．4．2 硅片表面温度场模拟 | 第28-30页 |
| 2．5 清洗阈值的理论预测 | 第30-33页 |
| 2．5．1 粘附力F_(ad)的计算 | 第30-31页 |
| 2．5．2 去除力F_(clean)的计算 | 第31-32页 |
| 2．5．3 结果分析 | 第32-33页 |
| 2．6 本章小结 | 第33-34页 |
| 3 激光干法清洗硅片表面试验研究 | 第34-56页 |
| 3．1 试验设备和样件制备 | 第34-36页 |
| 3．1．1 试验设备及检测条件 | 第34-35页 |
| 3．1．2 样片的制备 | 第35-36页 |
| 3．2 Nd:YAG激光清洗试验 | 第36-38页 |
| 3．3 KrF准分子激光清洗试验 | 第38-50页 |
| 3．3．1 硅片表面1μmAl_2O_3颗粒的激光清洗 | 第39-44页 |
| 3．3．2 硅片表面0．5μmAl_2O_3颗粒的激光清洗 | 第44-47页 |
| 3．3．3 硅片表面1μmCeO_2颗粒的激光清洗 | 第47-50页 |
| 3．4 硅片表面损伤检测与分析 | 第50-55页 |
| 3．5 本章小结 | 第55-56页 |
| 4 激光干法清洗硅片表面清洗结果的评价 | 第56-63页 |
| 4．1 基体表面清洁度的评定 | 第56页 |
| 4．1．1 表面清洁度的定义 | 第56页 |
| 4．1．2 常用硅片表面清洁度的检测方法 | 第56页 |
| 4．2 评价程序的开发 | 第56-61页 |
| 4．2．1 评价程序的功能要求 | 第57页 |
| 4．2．2 评价程序的理论基础 | 第57-59页 |
| 4．2．3 评价程序的实现 | 第59-61页 |
| 4．3 应用实例 | 第61-62页 |
| 4．4 本章小结 | 第62-63页 |
| 结论与展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 附录A 清洗结果评价程序 | 第68-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第71页 |
