| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·碳化硅材料和碳化硅MOSFET 的发展现状 | 第7-11页 |
| ·SiC 肖特基源漏MOSFET 概述 | 第11-13页 |
| ·本文的主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 多晶硅-SiC 异质结接触及模拟 | 第15-22页 |
| ·n~+多晶硅/NSiC 异质结 | 第15-16页 |
| ·ISE TCAD 模拟中的模型和参数选取 | 第16-21页 |
| ·ISETCAD 简介 | 第16-17页 |
| ·求解的基本方程 | 第17页 |
| ·模型的选取及相应参数的选择 | 第17-20页 |
| ·数值计算方法的选择 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 6H-SiC 异质结源漏 MOSFET 的模拟分析 | 第22-32页 |
| ·异质结源漏MOSFET 的电流输运机制 | 第22-23页 |
| ·6H-SiC SBSD-MOSFET 伏安特性的模拟 | 第23-31页 |
| ·基本伏安特性 | 第23-24页 |
| ·各种参数的影响 | 第24-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 n~+多晶硅/N~+SiC 异质结接触形成欧姆接触 | 第32-38页 |
| ·欧姆接触形成的理论基础 | 第32-33页 |
| ·n型SiC 欧姆接触工艺的现状和存在的问题 | 第33-34页 |
| ·n~+多晶硅/N~+SiC 接触形成欧姆接触 | 第34-37页 |
| ·器件结构和工艺设计 | 第35页 |
| ·接触特性的模拟 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第五章 6H-SiC 异质结源漏 MOSFET 和欧姆接触的实验研制 | 第38-44页 |
| ·多晶硅/SiC 异质结接触关键工艺 | 第38-39页 |
| ·SiC 异质结源漏MOSFET 版图设计和工艺流程 | 第39-41页 |
| ·SiC 异质结欧姆接触的版图设计和工艺流程 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第六章 主要结论 | 第44-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果和奖励情况 | 第51页 |
