| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第1章 前言 | 第9-23页 |
| ·多晶硅薄膜的应用 | 第9-10页 |
| ·多晶硅薄膜在电子器件中的应用 | 第9页 |
| ·多晶硅薄膜在太阳能电池中的应用 | 第9-10页 |
| ·多晶硅薄膜的结构特点和光电性能 | 第10-12页 |
| ·多晶硅薄膜的结构特点 | 第10-12页 |
| ·多晶硅薄膜的光电性能 | 第12页 |
| ·多晶硅薄膜的低温制备方法 | 第12-16页 |
| ·固相晶化法 | 第13-14页 |
| ·在衬底上直接沉积多晶硅薄膜 | 第14-16页 |
| ·以SiCl_4／H_2为源气体制备poly-Si薄膜的优点和研究现状 | 第16-19页 |
| ·以SiCl_4为源气体生长多晶硅薄膜的优点 | 第16页 |
| ·以SiCl_4／H_2为源气体制备poly-Si薄膜的研究现状 | 第16-19页 |
| ·本研究所采取的方法及其意义 | 第19-23页 |
| 第2章 PECVD法低温沉积硅薄膜的实验过程 | 第23-27页 |
| ·实验所用PECVD系统描述 | 第23-24页 |
| ·样品制备 | 第24-27页 |
| 第3章 多晶硅薄膜均匀性的研究 | 第27-37页 |
| ·薄膜均匀性的表征 | 第27-29页 |
| ·不均匀性的表征 | 第27页 |
| ·薄膜厚度的测量方法及原理 | 第27-29页 |
| ·薄膜均匀性的研究及解决 | 第29-37页 |
| ·未改进前薄膜的均匀性 | 第29-31页 |
| ·不均匀的分析及解决 | 第31-36页 |
| ·电场的影响及解决 | 第31-33页 |
| ·气孔分布的影响及解决 | 第33-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第4章 PECVD多晶硅薄膜生长速率的研究 | 第37-44页 |
| ·功率对薄膜沉积速率的影响 | 第37-38页 |
| ·氢对薄膜沉积速率的影响 | 第38-40页 |
| ·衬底温度对薄膜沉积速率的影响 | 第40-41页 |
| ·反应气压对薄膜沉积速率的影响 | 第41-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第5章 薄膜的结构和成分分析 | 第44-67页 |
| ·实验方法 | 第44-45页 |
| ·功率对薄膜结构的影响 | 第45-52页 |
| ·不同沉积功率下样品拉曼谱 | 第45-48页 |
| ·不同沉积功率下样品的表面形貌 | 第48-51页 |
| ·不同沉积功率下样品的成分分析 | 第51-52页 |
| ·氢对薄膜结构的影响 | 第52-60页 |
| ·不同氢稀释下样品拉曼谱 | 第52-55页 |
| ·不同氢稀释下样品的表面形貌 | 第55-59页 |
| ·不同氢稀释度下样品的成分分析 | 第59-60页 |
| ·衬底温度对薄膜结构的影响 | 第60-64页 |
| ·不同衬底温度下样品拉曼谱 | 第60-62页 |
| ·不同衬底温度下样品的表面形貌 | 第62-64页 |
| ·反应气压对薄膜结构的影响 | 第64-67页 |
| 第6章 薄膜的光电性能分析 | 第67-78页 |
| ·薄膜的稳态光、暗电导率及电导激活能 | 第67-69页 |
| ·多晶硅薄膜的导电机理与激活能 | 第67页 |
| ·实验装置、测量方法及结果 | 第67-69页 |
| ·多晶硅薄膜的光照稳定性测量 | 第69-72页 |
| ·多晶硅薄膜的光学性能 | 第72-78页 |
| ·多晶硅薄膜的光吸收特性 | 第72-74页 |
| ·多晶硅薄膜的光学带隙 | 第74-78页 |
| 第7章 低温多晶硅薄膜生长机制分析 | 第78-89页 |
| ·Cl和H元素在低温沉积多晶硅薄膜中的作用 | 第78-79页 |
| ·多晶硅薄膜的低温沉积模型 | 第79-82页 |
| ·前言 | 第79-81页 |
| ·空间气相反应 | 第81页 |
| ·表面反应 | 第81-82页 |
| ·实验证明 | 第82-86页 |
| ·功率的影响 | 第82-84页 |
| ·氢稀释度的影响 | 第84页 |
| ·温度的影响 | 第84页 |
| ·气压的影响 | 第84-85页 |
| ·多晶硅薄膜的最初生长特性 | 第85-86页 |
| ·小结 | 第86-89页 |
| 第8章 结论 | 第89-90页 |
| 攻读硕士期间完成和发表的论文 | 第90-91页 |
| 后记 | 第91页 |