| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 概述 | 第11-16页 |
| ·光纤通信系统和SDH 标准 | 第11-12页 |
| ·光发射/接收模块描述 | 第12-13页 |
| ·光发射芯片性能指标 | 第13页 |
| ·工艺选择 | 第13-14页 |
| ·集成电路设计流程 | 第14-15页 |
| ·激光驱动器设计和论文结构安排 | 第15-16页 |
| 第二章 光发射机系统 | 第16-23页 |
| ·光纤 | 第16页 |
| ·调制方式 | 第16-17页 |
| ·光源 | 第17-21页 |
| ·发光二极管（LED） | 第17页 |
| ·激光二极管（LD） | 第17-20页 |
| ·垂直腔面发射激光器 | 第20页 |
| ·光调制器 | 第20-21页 |
| ·光纤通信系统设计 | 第21-23页 |
| 第三章 深亚微米CMOS 集成电路设计 | 第23-34页 |
| ·集成电路概述 | 第23-25页 |
| ·集成电路分类 | 第23-24页 |
| ·集成电路的设计要求 | 第24-25页 |
| ·深亚微米CMOS 二阶效应 | 第25-27页 |
| ·体效应（Body Effect） | 第25-26页 |
| ·沟道长度调制效应 | 第26-27页 |
| ·亚阈值导电性（subthreshold Conduction） | 第27页 |
| ·深亚微米CMOS 短沟道效应 | 第27-32页 |
| ·阈值电压的变化 | 第27-29页 |
| ·垂直电场引起的迁移率退化 | 第29页 |
| ·载流子速度饱和 | 第29-30页 |
| ·热载流子效应 | 第30-31页 |
| ·漏-源电压引起的输出阻抗的变化 | 第31-32页 |
| ·眼图 | 第32-34页 |
| 第四章 激光驱动器电路设计 | 第34-54页 |
| ·输入缓冲电路 | 第34-38页 |
| ·输入匹配电路 | 第35-36页 |
| ·源极跟随器 | 第36-38页 |
| ·差分放大器 | 第38-43页 |
| ·直流分析 | 第38-39页 |
| ·频率分析 | 第39-41页 |
| ·直接耦合的级联差分放大器分析 | 第41页 |
| ·本电路的级联差分放大器分析 | 第41-43页 |
| ·带宽拓展技术 | 第43-48页 |
| ·负反馈 | 第44-45页 |
| ·电感峰化 | 第45-47页 |
| ·电容峰化 | 第47-48页 |
| ·均衡技术 | 第48页 |
| ·输出级 | 第48-49页 |
| ·直流偏置电路 | 第49-50页 |
| ·参考电压源 | 第50页 |
| ·激光驱动器系统设计 | 第50-54页 |
| ·系统构成和仿真 | 第50-53页 |
| ·仿真小结 | 第53-54页 |
| 第五章 光发射芯片电路设计 | 第54-59页 |
| ·复接器 | 第54-56页 |
| ·光发射芯片系统设计 | 第56-59页 |
| 第六章 版图设计 | 第59-69页 |
| ·概述 | 第59页 |
| ·版图设计要点 | 第59-63页 |
| ·叉指结构MOS 管 | 第59-60页 |
| ·寄生电容 | 第60-61页 |
| ·寄生电阻 | 第61页 |
| ·闩锁效应 | 第61-62页 |
| ·衬底串扰噪声 | 第62页 |
| ·天线效应 | 第62页 |
| ·线电流密度 | 第62-63页 |
| ·其它因素 | 第63页 |
| ·激光驱动器电路版图设计 | 第63-66页 |
| ·光发射芯片版图设计 | 第66-69页 |
| 第七章 芯片测试 | 第69-79页 |
| ·引言 | 第69页 |
| ·激光驱动器电路测试 | 第69-76页 |
| ·芯片照片 | 第69-71页 |
| ·测试系统 | 第71页 |
| ·测试结果 | 第71-76页 |
| ·测试小结 | 第76-77页 |
| ·测试结果分析 | 第77-79页 |
| 第八章 总结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-83页 |
| 致谢 | 第83页 |