电化学沉积制备ZnO纳米晶薄膜及其性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-30页 |
| ·氧化物半导体的研究进展 | 第12-13页 |
| ·发展概论 | 第12页 |
| ·新型的氧化物半导体材料－ZnO | 第12-13页 |
| ·ZnO 的结构性质 | 第13-17页 |
| ·ZnO 的晶体结构 | 第13-14页 |
| ·ZnO 的理化性质 | 第14-15页 |
| ·ZnO 材料的发光特性 | 第15-17页 |
| ·ZnO 薄膜的制备与表征 | 第17-26页 |
| ·分子束外延 | 第17页 |
| ·磁控溅射沉积 | 第17-19页 |
| ·溶胶－凝胶法 | 第19-20页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第20-21页 |
| ·化学气相沉积 | 第21-22页 |
| ·喷雾热解法 | 第22-23页 |
| ·电化学沉积 | 第23-24页 |
| ·薄膜表征方法 | 第24-26页 |
| ·ZnO 材料的应用 | 第26-28页 |
| ·透明导电薄膜 | 第26页 |
| ·压敏器件 | 第26-27页 |
| ·发光器件与紫外光探测器件 | 第27页 |
| ·缓冲层 | 第27-28页 |
| ·表面声波器件 | 第28页 |
| ·气敏元件 | 第28页 |
| ·本文的研究目的与内容 | 第28-30页 |
| 第二章 电化学沉积ZnO 薄膜原理与方法 | 第30-43页 |
| ·实验的前期准备 | 第30-32页 |
| ·衬底清洗 | 第31页 |
| ·电解液的配制 | 第31页 |
| ·反应体系 | 第31-32页 |
| ·ZnO 薄膜的电化学沉积及机理 | 第32-36页 |
| ·电化学过程 | 第32-33页 |
| ·薄膜的生长机制 | 第33-35页 |
| ·超声振动的作用机理 | 第35-36页 |
| ·样品退火和异质结制备 | 第36页 |
| ·测试方法及原理 | 第36-42页 |
| ·XRD 工作原理 | 第36-38页 |
| ·扫描电镜工作原理 | 第38-39页 |
| ·紫外－可见分光光谱 | 第39-41页 |
| ·范德堡法测试电学性能 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 工艺条件对ZnO 薄膜的影响 | 第43-51页 |
| ·沉积电压对薄膜质量的影响 | 第43-47页 |
| ·薄膜饱和厚度与沉积电压的关系 | 第43-44页 |
| ·沉积电压对结晶取向的影响 | 第44-45页 |
| ·沉积电压对表面形貌的影响 | 第45-47页 |
| ·超声振动对薄膜质量的影响 | 第47-48页 |
| ·PH 值对沉积过程的影响 | 第48-49页 |
| ·晶粒间应变状态分析 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 纳米花状ZnO 薄膜的制备 | 第51-55页 |
| ·研究意义 | 第51页 |
| ·ZnO 纳米花状薄膜的制备 | 第51-54页 |
| ·衬底清洗 | 第51页 |
| ·ZnO 纳米花的制备与表面形貌分析 | 第51-52页 |
| ·纳米晶薄膜的发光特性 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 ZnO 薄膜的光电性能研究 | 第55-62页 |
| ·范德堡法测电阻 | 第55-56页 |
| ·范德堡电极的制备 | 第55页 |
| ·范德堡法测量薄层电阻 | 第55-56页 |
| ·异质结的光电效应 | 第56-58页 |
| ·异质结的制备 | 第56-57页 |
| ·光电效应原理 | 第57-58页 |
| ·光电效应的测定 | 第58页 |
| ·I-V 特性 | 第58-61页 |
| ·I-V 特性测试 | 第58-59页 |
| ·PN 结单向导电性的测定 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 ZnO 薄膜的光学性能研究 | 第62-66页 |
| ·光吸收测量 | 第62-63页 |
| ·沉积时间对透过率的影响 | 第63-64页 |
| ·超声辅助沉积对透过率的影响 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第七章 结论与展望 | 第66-68页 |
| ·研究总结 | 第66-67页 |
| ·展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 研究生期间发表的论文 | 第74页 |
| 研究生期间参与的研究项目 | 第74页 |
