| 内容提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·光子晶体基本物理概念 | 第7-9页 |
| ·光子晶体的基本概念 | 第8页 |
| ·光子晶体的分类 | 第8-9页 |
| ·光子晶体研究的理论方法 | 第9-12页 |
| ·光子晶体的制作 | 第12-13页 |
| ·光子晶体制作的物理方法 | 第12页 |
| ·光子晶体制作的化学方法 | 第12-13页 |
| ·光子晶体的应用 | 第13-15页 |
| ·光子晶体的研究中存在的问题 | 第15页 |
| ·论文的目的和主要内容 | 第15-17页 |
| 第二章 光子晶体透射谱和能带结构的计算方法 | 第17-36页 |
| ·传输矩阵法 | 第17-24页 |
| ·用传输矩阵法计算一维光子晶体的透射系数和反射系数 | 第17-22页 |
| ·用传输矩阵法计算一维光子晶体的能带结构 | 第22-24页 |
| ·平面波展开法 | 第24-29页 |
| ·三维光子晶体的平面波展开法 | 第24-27页 |
| ·二维光子晶体的平面波展开法 | 第27-29页 |
| ·时域有限差分法 | 第29-36页 |
| 第三章 一维光子晶体一级禁带内缺陷模的研究 | 第36-88页 |
| ·光子晶体掺杂缺陷层的方式 | 第36-37页 |
| ·缺陷模随缺陷层光学厚度的变化规律 | 第37-49页 |
| ·缺陷层以替换式加入光子晶体的情况 | 第37-44页 |
| ·缺陷层以夹杂式加入光子晶体的情况 | 第44-49页 |
| ·缺陷模随缺陷层折射率的变化规律 | 第49-59页 |
| ·缺陷层替换光子晶体的大折射率介质的情况 | 第49-52页 |
| ·缺陷层替换光子晶体的小折射率介质的情况 | 第52-55页 |
| ·缺陷层以夹杂式加入光子晶体中的情况 | 第55-59页 |
| ·缺陷模随光子晶体介质光学厚度的变化规律 | 第59-71页 |
| ·缺陷层介质替换光子晶体的一种介质的情况 | 第59-65页 |
| ·缺陷层以夹杂式掺杂在光子晶体中的情况 | 第65-71页 |
| ·缺陷模随缺陷层两侧光子晶体周期数的变化规律 | 第71-86页 |
| ·缺陷层替换光子晶体的一种介质的情况 | 第71-85页 |
| ·缺陷层以夹杂方式掺杂在光子晶体中的情况 | 第85-86页 |
| ·本章小结 | 第86-88页 |
| 第四章 一维光子晶体高级禁带内缺陷模的研究 | 第88-97页 |
| ·频率标度化后处在二级禁带中心的缺陷模 | 第89-91页 |
| ·各级禁带中心同时出现缺陷模时半高宽比值 | 第91-93页 |
| ·高级禁带和一级禁带内缺陷模比较 | 第93-95页 |
| ·缺陷层光学厚度为整数倍的λ0/4 时 | 第95-96页 |
| ·本章小结 | 第96-97页 |
| 结论 | 第97-101页 |
| 参考文献 | 第101-108页 |
| 摘要 | 第108-113页 |
| Abstract | 第113-120页 |
| 致谢 | 第120页 |