首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--发光器件论文

有机发光器件界面与器件稳定性的研究

摘要第1-6页
Abstract第6-8页
第一章 前言第8-26页
   ·有机发光器件简介第8-13页
     ·有机光电器件发展背景第8-9页
     ·有机发光器件(OLEDs)的发展历史第9-10页
     ·有机器件的结构和界面第10-13页
   ·OLEDs中的界面第13-19页
     ·无机半导体界面相关理论的回顾第13-16页
       ·Shottky—Mott模型第13-14页
       ·Bardeen模型第14-15页
       ·OLEDs的界面电子态第15页
       ·有机半导体界面偶极子(Dipole)的形成第15-16页
     ·OLEDs的界面第16-19页
   ·C_(60)/A1复合阳极的表面机理研究第19页
   ·发光器件方面的研究第19-20页
   ·选题的意义和主要内容第20-22页
 参考文献第22-26页
第二章 有机半导体界面及电致发光器件的实验研究第26-52页
   ·同步辐射光电子能谱第27-34页
     ·光电子能谱基本原理第27-30页
     ·光电子能谱仪第30-32页
     ·同步辐射光电子能谱第32-34页
   ·有机半导体界面电子结构的实验测量第34-38页
   ·表面物理线站简介第38-40页
   ·OLEDs器件的制备和测试第40-48页
     ·衬底及其预处理第40-42页
       ·清洗第40-41页
       ·臭氧处理第41-42页
     ·有机分子束沉积系统第42-45页
     ·晶体振荡器第45-47页
     ·电流-亮度-电压特性第47-48页
 参考文献第48-52页
第三章 A1电极OLEDs中缓冲层LiF的化学反应机制研究第52-70页
   ·研究背景第52-54页
   ·各种模型介绍第54-56页
     ·界面偶极层导致能级重新排列模型第54-55页
     ·化学反应模型第55-56页
     ·隧穿势垒的降低模型第56页
   ·化学反应机制的光电子能谱研究第56-66页
     ·A1与LiF两者的反应第56-61页
     ·不同的沉积次序对A1和LiF界面电子态的影响第61-65页
       ·A1沉积在LiF上形成的A1、LiF界面光电子能谱研究第62-63页
       ·LiF沉积在A1上形成的LiF/A1界面光电子能谱研究第63-65页
     ·LiF与A1界面沉积次序不同形成的界面对电子注入的影响第65-66页
   ·结论第66-68页
 参考文献第68-70页
第四章 C_(60)/A1复合阳极界面的光电子能谱研究第70-79页
   ·研究背景第70页
   ·关于C_(60)修饰的A1表面空穴注入势垒的价带谱研究第70-76页
     ·NPB/A1界面价带谱第70-71页
     ·有C_(60)作中间层的NPB/A1界面价带谱第71-76页
   ·结论第76-77页
 参考文献第77-79页
第五章 OLEDs恒压工作特性与空穴可控传输研究第79-96页
   ·OLEDs的恒压工作特性第79-91页
     ·研究背景第79-80页
     ·OLEDs的恒压工作特性第80-91页
   ·空穴传输的可控性研究第91-95页
   ·小结第95-96页
参考文献第96-97页
致谢第97-98页

论文共98页,点击 下载论文
上一篇:基于模型的网络安全风险评估的研究
下一篇:新加坡华社的多语现象与语言接触研究