摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第一章 前言 | 第8-26页 |
·有机发光器件简介 | 第8-13页 |
·有机光电器件发展背景 | 第8-9页 |
·有机发光器件(OLEDs)的发展历史 | 第9-10页 |
·有机器件的结构和界面 | 第10-13页 |
·OLEDs中的界面 | 第13-19页 |
·无机半导体界面相关理论的回顾 | 第13-16页 |
·Shottky—Mott模型 | 第13-14页 |
·Bardeen模型 | 第14-15页 |
·OLEDs的界面电子态 | 第15页 |
·有机半导体界面偶极子(Dipole)的形成 | 第15-16页 |
·OLEDs的界面 | 第16-19页 |
·C_(60)/A1复合阳极的表面机理研究 | 第19页 |
·发光器件方面的研究 | 第19-20页 |
·选题的意义和主要内容 | 第20-22页 |
参考文献 | 第22-26页 |
第二章 有机半导体界面及电致发光器件的实验研究 | 第26-52页 |
·同步辐射光电子能谱 | 第27-34页 |
·光电子能谱基本原理 | 第27-30页 |
·光电子能谱仪 | 第30-32页 |
·同步辐射光电子能谱 | 第32-34页 |
·有机半导体界面电子结构的实验测量 | 第34-38页 |
·表面物理线站简介 | 第38-40页 |
·OLEDs器件的制备和测试 | 第40-48页 |
·衬底及其预处理 | 第40-42页 |
·清洗 | 第40-41页 |
·臭氧处理 | 第41-42页 |
·有机分子束沉积系统 | 第42-45页 |
·晶体振荡器 | 第45-47页 |
·电流-亮度-电压特性 | 第47-48页 |
参考文献 | 第48-52页 |
第三章 A1电极OLEDs中缓冲层LiF的化学反应机制研究 | 第52-70页 |
·研究背景 | 第52-54页 |
·各种模型介绍 | 第54-56页 |
·界面偶极层导致能级重新排列模型 | 第54-55页 |
·化学反应模型 | 第55-56页 |
·隧穿势垒的降低模型 | 第56页 |
·化学反应机制的光电子能谱研究 | 第56-66页 |
·A1与LiF两者的反应 | 第56-61页 |
·不同的沉积次序对A1和LiF界面电子态的影响 | 第61-65页 |
·A1沉积在LiF上形成的A1、LiF界面光电子能谱研究 | 第62-63页 |
·LiF沉积在A1上形成的LiF/A1界面光电子能谱研究 | 第63-65页 |
·LiF与A1界面沉积次序不同形成的界面对电子注入的影响 | 第65-66页 |
·结论 | 第66-68页 |
参考文献 | 第68-70页 |
第四章 C_(60)/A1复合阳极界面的光电子能谱研究 | 第70-79页 |
·研究背景 | 第70页 |
·关于C_(60)修饰的A1表面空穴注入势垒的价带谱研究 | 第70-76页 |
·NPB/A1界面价带谱 | 第70-71页 |
·有C_(60)作中间层的NPB/A1界面价带谱 | 第71-76页 |
·结论 | 第76-77页 |
参考文献 | 第77-79页 |
第五章 OLEDs恒压工作特性与空穴可控传输研究 | 第79-96页 |
·OLEDs的恒压工作特性 | 第79-91页 |
·研究背景 | 第79-80页 |
·OLEDs的恒压工作特性 | 第80-91页 |
·空穴传输的可控性研究 | 第91-95页 |
·小结 | 第95-96页 |
参考文献 | 第96-97页 |
致谢 | 第97-98页 |