超导量子比特中铌超导隧道结的制备与性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-14页 |
| ·量子计算简介 | 第10-11页 |
| ·超导量子比特的发展与研究现状 | 第11-14页 |
| 第二章 超导约瑟夫森结 | 第14-22页 |
| ·约瑟夫森方程 | 第15-16页 |
| ·约瑟夫森结的等效模型 | 第16-17页 |
| ·恒流源偏置下约瑟夫森结的Ⅰ-Ⅴ曲线 | 第17-18页 |
| ·超导环中的约瑟夫森结 | 第18-22页 |
| ·类磁通量子化 | 第18-19页 |
| ·超导量子干涉 | 第19-20页 |
| ·超导量子比特 | 第20-22页 |
| 第三章 全铌超导隧道结的制备与研究 | 第22-36页 |
| ·平面型Josephson结的制备条件 | 第22页 |
| ·铌膜的制备 | 第22-28页 |
| ·铌膜的溅射条件 | 第23-24页 |
| ·铌膜的表面形貌 | 第24页 |
| ·铌膜的晶体结构与应力 | 第24-26页 |
| ·铌膜厚度与T_c的关系 | 第26-28页 |
| ·势垒层的形成 | 第28页 |
| ·高质量小面积光刻工艺 | 第28-30页 |
| ·光刻流程 | 第29-30页 |
| ·光刻条件 | 第30页 |
| ·铌膜的刻蚀 | 第30-32页 |
| ·反应离子刻蚀原理 | 第31-32页 |
| ·铌膜的刻蚀速率 | 第32页 |
| ·结的绝缘层沉积 | 第32-33页 |
| ·制备Josephson隧道结的工艺流程 | 第33-34页 |
| ·隧道结特性的测量 | 第34-36页 |
| 第四章 工艺条件改进与结性能研究 | 第36-46页 |
| ·高可控性关键工艺的探索 | 第36-40页 |
| ·圆形结的设计 | 第36-37页 |
| ·工艺稳定性的控制 | 第37-40页 |
| ·等离子氧化工艺 | 第40-44页 |
| ·等离子氧化工艺介绍 | 第40-43页 |
| ·氧化膜AES分析与比较 | 第43-44页 |
| ·AFM形貌分析 | 第44页 |
| ·铌隧道结Ⅰ-Ⅴ测量 | 第44-46页 |
| 第五章 总结与展望 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 硕士期间研究成果 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
