摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 文献综述 | 第12-26页 |
1.1 引言 | 第12页 |
1.2 碳化硅介绍 | 第12-13页 |
1.3 纳米复合材料简介 | 第13-14页 |
1.4 SiC纳米材料的光催化简介 | 第14-20页 |
1.4.1 SiC的结构 | 第14-15页 |
1.4.2 光催化机理简介 | 第15-17页 |
1.4.3 SiC光催化剂的表面修饰简介 | 第17-20页 |
1.5 SiC纳米复合材料光催化性能研究的现状 | 第20-23页 |
1.6 电荷输运简介 | 第23-24页 |
1.6.1 光生电荷转移简介 | 第23-24页 |
1.6.2 光生电荷转移的研究方法简介 | 第24页 |
1.7 课题研究意义、目的与内容 | 第24-26页 |
1.7.1 研究意义与目的 | 第24-25页 |
1.7.2 研究内容 | 第25-26页 |
第2章 实验及测试方法 | 第26-32页 |
2.1 实验原料及试剂 | 第26页 |
2.2 实验设备 | 第26-27页 |
2.3 实验流程 | 第27-28页 |
2.4 测试与表征 | 第28-32页 |
2.4.1 X射线衍射分析(XRD) | 第28页 |
2.4.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第28-29页 |
2.4.3 透射电子显微镜(TEM) | 第29页 |
2.4.4 紫外分光光度计(UV-VIS) | 第29页 |
2.4.5 激光粒度仪 | 第29-30页 |
2.4.6 气相色谱仪 | 第30页 |
2.4.7 瞬态荧光光谱仪 | 第30-32页 |
第3章 SiC/SiO_2纳米复合材料的制备及表征 | 第32-47页 |
3.1 引言 | 第32页 |
3.2 实验部分 | 第32-34页 |
3.2.1 原料表征 | 第32-33页 |
3.2.2 实验过程 | 第33-34页 |
3.3 结果与讨论 | 第34-39页 |
3.3.1 XRD | 第34-35页 |
3.3.2 SEM | 第35页 |
3.3.3 TEM | 第35-39页 |
3.4 反应机理研究 | 第39-44页 |
3.4.1 反应机理推导 | 第39-42页 |
3.4.2 反应机理示意图 | 第42-44页 |
3.5 本章小结 | 第44-47页 |
第4章 SiC/SiO_2纳米复合材料光催化制氢性能的研究 | 第47-71页 |
4.1 引言 | 第47页 |
4.2 实验部分 | 第47-48页 |
4.2.1 实验过程 | 第47-48页 |
4.2.2 实验设备 | 第48页 |
4.3 结果与讨论 | 第48-69页 |
4.3.1 不同碳硅比对材料光催化性能的影响 | 第48-59页 |
4.3.2 不同粒径硅源对材料光催化性能的影响 | 第59-63页 |
4.3.3 样品纯化对材料光催化性能的影响 | 第63-67页 |
4.3.4 SiC/SiO_2纳米复合材料电荷输运过程的研究 | 第67-69页 |
4.4 本章小结 | 第69-71页 |
第5章 结论与展望 | 第71-73页 |
参考文献 | 第73-81页 |
攻读硕士期间已发表的论文 | 第81-83页 |
致谢 | 第83页 |