氧化锌薄膜晶体管制备与工作特性解析
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外氧化物TFTs的研究发展现状 | 第12-14页 |
| 1.3 氧化物TFTs存在的问题 | 第14-16页 |
| 1.3.1 工艺造成的大尺寸生产问题 | 第14-15页 |
| 1.3.2 氧化物半导体中的缺陷问题 | 第15-16页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第2章 ZnO薄膜的制备与物理特性表征 | 第17-27页 |
| 2.1 ZnO的基本性质及应用 | 第17页 |
| 2.2 ZnO薄膜的制备 | 第17-21页 |
| 2.2.1 射频磁控溅射 | 第17-18页 |
| 2.2.2 玻璃基板的清洗 | 第18-19页 |
| 2.2.3 ZnO薄膜的制备 | 第19-21页 |
| 2.3 ZnO薄膜的表征 | 第21-26页 |
| 2.3.1 原子力显微镜 | 第21-23页 |
| 2.3.2 X射线衍射 | 第23-24页 |
| 2.3.3 ZnO薄膜的吸收光谱及透射率 | 第24-26页 |
| 2.3.4 使用台阶仪测量ZnO薄膜的膜厚 | 第26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 垂直结构ZnO晶体管工作机制解析 | 第27-33页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 ZnO薄膜晶体管层与层之间的接触 | 第27-29页 |
| 3.2.1 Ni/ZnO的接触 | 第27-28页 |
| 3.2.2 Al/ZnO的接触 | 第28-29页 |
| 3.3 金属-半导体接触整流理论 | 第29-30页 |
| 3.4 理想的ZnO-TFT能带结构 | 第30-32页 |
| 3.5 量子阱理论 | 第32页 |
| 3.6 本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 ZnO薄膜晶体管制备及工作特性分析 | 第33-48页 |
| 4.1 引言 | 第33页 |
| 4.2 ZnO薄膜二极管及薄膜晶体管的制备 | 第33-35页 |
| 4.2.1 ZnO薄膜二极管的制备 | 第33页 |
| 4.2.2 ZnO薄膜晶体管的制备 | 第33-35页 |
| 4.3 ZnO薄膜二极管及TFT的测试分析 | 第35-43页 |
| 4.3.1 ZnO薄膜二极管的测试分析 | 第35-39页 |
| 4.3.2 肖特基势垒的计算 | 第39-41页 |
| 4.3.3 ZnO薄膜晶体管工作特性分析 | 第41-43页 |
| 4.4 ZnO-TFTs电学特性参数的表征 | 第43-47页 |
| 4.4.1 晶体管的沟道跨导 | 第43-44页 |
| 4.4.2 晶体管的输出电阻及电压放大倍数 | 第44-45页 |
| 4.4.3 ZnO-TFTs载流子迁移率的计算 | 第45-46页 |
| 4.4.4 开关电流比特性分析 | 第46-47页 |
| 4.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55页 |
